数据表
MOS场效应
2SK3306
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
订购信息
产品型号
2SK3306
包
隔离TO- 220 （ MP- 45F ）
描述
该2SK3306是N通道DMOS FET器件，具有
低栅极电荷和开关特性优良，并
设计用于高电压应用，例如开关电源
电源，交流电源适配器。
特点
•
低栅极电荷：
5
Q
G
= 13 NC TYP 。 （V
DD
= 400 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 5.0 A)
•
栅极电压等级：
±30
V
•
低导通电阻：
R
DS （ ON）
= 1.5
Ω
MAX 。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A)
•
雪崩能力评级
•
隔离TO- 220 （ MP - 45F ）封装
（隔离TO- 220 ）
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
Note1
V
DSS
V
GSS （AC）的
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
P
T
T
ch
T
英镑
500
±30
±5
±20
35
2.0
150
-55到+150
5.0
125
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
Note2
Note2
I
AS
E
AS
注意事项1 。
PW
≤
10
µ
S，占空比
≤
1 %
2.
起始物为
ch
= 25 ° C，V
DD
= 150 V ，R
G
= 25
Ω,
V
GS
= 20 V
→
0 V
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文档编号
D14004EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期2000年1月NS CP （ K）
日本印刷
商标
5
表示主要修改点。
©
1999
NEC [ NEC ]
