数据表
MOS场效应
2SK3325
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
描述
该2SK3325是N通道DMOS FET器件，具有
低栅极电荷和开关特性优良，并
设计用于高电压应用，例如开关电源
电源，交流电源适配器。
订购信息
产品型号
2SK3325
2SK3325-S
2SK3325-ZJ
包
TO-220AB
TO-262
TO-263
特点
•
低栅极电荷：
Q
G
= 22 NC TYP 。 （V
DD
= 400 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A)
•
栅极电压等级：
±30
V
•
低通态电阻
R
DS （ ON）
= 0.85
Ω
MAX 。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 5.0 A)
•
雪崩能力评级
•
TO- 220AB ， TO- 262 ， TO- 263封装
(TO-220AB)
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
Note1
V
DSS
V
GSS （AC）的
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
P
T
T
ch
T
英镑
500
±30
±10
±40
85
1.5
150
-55到+150
10
10.7
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
(TO-262)
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
Note2
Note2
(TO-263)
I
AS
E
AS
注意事项1 。
PW
≤
10
µ
S，占空比
≤
1 %
2.
起始物为
ch
= 25 ° C，V
DD
= 150 V ，R
G
= 25
Ω,
V
GS
= 20 V
¡
0 V
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文档编号
D14264EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2000年5月NS CP （ K）
日本印刷
©
1999, 2000
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