数据表
MOS场效应
2SK3326
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
订购信息
产品型号
2SK3326
包
隔离TO- 220
描述
该2SK3326是N通道DMOS FET器件,具有
低栅极电荷和开关特性优良,并
设计用于高电压应用,例如开关电源
电源,交流电源适配器。
特点
•
低栅极电荷:
Q
G
= 22 NC TYP 。 (V
DD
= 400 V, V
GS
= 10 V,I
D
= 10 A)
•
栅极电压等级:
±30
V
•
低导通电阻:
R
DS ( ON)
= 0.85
Ω
MAX 。 (V
GS
= 10 V,I
D
= 5.0 A)
•
雪崩能力评级
•
隔离TO- 220 ( MP - 45F )封装
(隔离TO- 220 )
绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
漏源极电压(V
GS
= 0 V)
门源电压(V
DS
= 0 V)
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
Note1
V
DSS
V
GSS (AC)的
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T
P
T
T
ch
T
英镑
500
±30
±10
±40
40
2.0
150
-55到+150
10
10.7
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
总功率耗散(T
C
= 25°C)
总功率耗散(T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
Note2
Note2
I
AS
E
AS
注意事项1 。
PW
≤
10
µ
S,占空比
≤
1 %
2.
起始物为
ch
= 25 ° C,V
DD
= 150 V ,R
G
= 25
Ω,
V
GS
= 20 V
→
0 V
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文档编号
D14204EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期2000年3月NS CP ( K)
日本印刷
©
2000