数据表
MOS场效应
2SK3357
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
订购信息
产品型号
2SK3357
包
TO-3P
描述
的2SK3357是N沟道MOS场效应晶体管
设计用于高电流的开关应用。
特点
•
超低导通电阻：
R
DS(on)1
= 5.8 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 38 A)
R
DS(on)2
= 8.8 mΩ以下。 （V
GS
= 4.0 V，I
D
= 38 A)
•
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 9800 pF的典型。
•
内置栅极保护二极管
(TO-3P)
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
Note1
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
Note2
单雪崩能量
Note2
V
DSS
V
GSS （AC）的
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
P
T
T
ch
T
英镑
I
AS
E
AS
60
±20
±75
±300
150
3.0
150
-55到+150
75
562
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
注意事项1 。
PW
≤
10
µ
S，占空比
≤
1 %
2.
起始物为
ch
= 25 ° C，R
G
= 25
Ω,
V
GS
= 20 V
→
0 V
热阻
渠道情况
渠道环境
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
0.83
41.7
° C / W
° C / W
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文档编号
D14134EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期2000年5月NS CP （ K）
日本印刷
商标
5
表示主要修改点。
©
1999, 2000
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