初步数据表
MOS场效应
2SK3435
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
订购信息
产品型号
2SK3435
2SK3435-S
2SK3435-Z
包
TO-220AB
TO-262
TO-220SMD
描述
的2SK3435是N沟道MOS场效应晶体管
设计用于高电流的开关应用。
特点
•
超低导通电阻：
R
DS(on)1
= 14 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A)
5
R
DS(on)2
= 22 mΩ以下。 （V
GS
= 4.0 V，I
D
= 40 A)
•
内置栅极保护二极管
(TO-220AB)
5
•
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 3200 pF的典型。
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
P
T
T
ch
T
英镑
I
AS
E
AS
60
±20
±80
±320
84
1.5
150
-55到+150
31
96
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
(TO-262)
5
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
5
5
单雪崩电流
Note2
单雪崩能量
Note2
注意事项1 。
PW
≤
10
µ
S，占空比
≤
1 %
2.
起始物为
ch
= 25 ° C，R
G
= 25
Ω,
V
GS
= 20 V
→
0 V
(TO-220SMD)
热阻
5
渠道情况
渠道环境
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
1.49
83.3
° C / W
° C / W
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文档编号
D14604EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2000年3月NS CP （ K）
日本印刷
商标
5
表示主要修改点。
©
1999, 2000
NEC [ NEC ]
