数据表
MOS场效应
2SK3481
开关
N沟道功率MOS FET
描述
的2SK3481是N沟道MOS场效应晶体管
设计用于高电流的开关应用。
订购信息
产品型号
2SK3481
2SK3481-S
2SK3481-ZJ
2SK3481-Z
包
TO-220AB
TO-262
TO-263
TO-220SMD
记
特点
•
超低导通电阻：
R
DS(on)1
= 50 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A)
R
DS(on)2
= 58 mΩ以下。 （V
GS
= 4.5 V，I
D
= 15 A)
•
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 2300 pF的典型。
•
内置栅极保护二极管
记
TO- 220SMD包仅产
在日本。
(TO-220AB)
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25°C)
漏电流（脉冲）
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
100
±20
±30
±60
56
1.5
150
-55到+150
26
68
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
（ TO- 263 ， TO- 220SMD ）
(TO-262)
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
Note2
Note2
I
AS
E
AS
注意事项1 。
PW
≤
10
µ
S，占空比
≤
1%
2.
起始物为
ch
= 25 ° C，V
DD
= 50 V ，R
G
= 25
Ω,
V
GS
= 20
→
0 V
热阻
通道到外壳热阻
通道到环境的热阻
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
2.23
83.3
° C / W
° C / W
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供应及其他信息。
文档编号
D15063EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2002年1月NS CP （ K）
日本印刷
©
2002
NEC [ NEC ]
