数据表
MOS场效应
2SK3715
开关
N沟道功率MOS FET
描述
的2SK3715是N沟道MOS场效应晶体管
设计用于高电流的开关应用。
订购信息
产品型号
2SK3715
包
隔离TO- 220
特点
•
超低导通电阻
R
DS(on)1
= 6.0 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 38 A)
R
DS(on)2
= 9.5 mΩ以下。 （V
GS
= 4 V，I
D
= 38 A)
•
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 8400 pF的典型。
•
内置栅极保护二极管
（隔离TO- 220 ）
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25°C)
漏电流（脉冲）
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
60
±20
±75
±300
40
2.0
150
−55
+150
67
450
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
Note2
Note2
I
AS
E
AS
注意事项1 。
PW
≤
10
µ
S，占空比
≤
1%
2.
起始物为
ch
= 25 ° C，V
DD
= 30 V ，R
G
= 25
Ω,
V
GS
= 20
→
0 V
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一号文件D16378EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期2003年8月NS CP （ K）
日本印刷
商标
表示主要修改点。
2002
NEC [ NEC ]
