数据表
MOS场效应
2SK3918
开关
N沟道功率MOS FET
描述
的2SK3918是N沟道MOS场效应管装置，其
具有低导通电阻和出色的开关
特点，专为低电压大电流
应用，如直流/直流转换器与同步
整流器。
订购信息
产品型号
2SK3918
2SK3918-ZK
包
的TO- 251 （MP -3）
TO- 252 （ MP- 3ZK ）
特点
•
低通态电阻
R
DS(on)1
= 7.5 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 24 A)
•
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 1300 pF的典型。
•
5 V驱动器可用
(TO-251)
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25°C)
漏电流（脉冲）
Note1
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功耗
通道温度
储存温度
单雪崩电流
Note2
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
I
AS
E
AS
25
±20
±48
±192
29
1.0
150
−55
+150
22
48
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
(TO-252)
单雪崩能量
Note2
注意事项1 。
PW
≤
10
µ
S，占空比
≤
1%
2.
起始物为
ch
= 25 ° C，V
DD
= 12.5 V ，R
G
= 25
Ω,
V
GS
= 20
→
0 V
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件D17077EJ3V0DS00 （第3版）
发布日期2005年1月NS CP （ K）
日本印刷
商标
表示主要修改点。
2004
NEC [ NEC ]
