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    3SK135A 参数 Datasheet PDF下载

    3SK135A图片预览
    型号： 3SK135A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： RF放大器。超高频电视调谐器的N-沟道硅双栅MOS场效应晶体管4PIN MINI模具 [RF AMP. FOR UHF TV TUNER N-CHANNEL SILICON DUAL-GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4PIN MINI MOLD]
    分类和应用： 晶体放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管电视光电二极管栅
    文件页数/大小： 6 页 / 55 K
    品牌： NEC [ NEC ]
     浏览型号3SK135A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号3SK135A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号3SK135A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号3SK135A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号3SK135A的Datasheet PDF文件第6页  
    数据表
    MOS场效应
    3SK135A
    RF放大器。超高频电视调谐器
    N沟道硅双栅MOS场效应晶体管
    4PIN MINI模具
    特点
    •适合用作RF放大器UHF电视调谐器。
    •低C
    RSS
    ： 0.02 pF的典型。
    •高G
    ps
    ：18 dB典型值。
    •低NF
    2.7 dB典型值。
    包装尺寸
    以毫米为单位
    0.4
    +0.1
    –0.05
    2
    2.8
    +0.2
    –0.3
    1.5
    +0.2
    –0.1
    –0.06
    0.16
    +0.1
    漏源极电压
    GATE1至源极电压
    GATE2至源极电压
    漏电流
    总功耗
    通道温度
    储存温度
    V
    DSX
    V
    G1S
    *
    V
    G2S
    *
    I
    D
    P
    T
    T
    ch
    T
    英镑
    5˚
    0-0.1
    20
    ±10
    ±10
    25
    200
    150
    -65到+150
    *R
    L
    ≥
    10 kΩ
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ˚
    C
    ˚
    C
    1
    0.6
    +0.1
    –0.05
    5˚
    +0.1
    5˚ 0.4
    –0.05
    +0.2
    1.1
    –0.1
    0.8
    4
    (1.9)
    1.源
    2.漏
    3.门2
    4.门1
    绝对最大额定值（T
    A
    = 25 ˚C)
    2.9±0.2
    (1.9)
    0.95 0.95
    5˚
    电气特性（T
    A
    = 25 ˚C)
    特征
    漏源击穿电压
    漏电流
    GATE1到源截止电压
    GATE2到源截止电压
    GATE1反向电流
    GATE2反向电流
    转发Transter准入
    符号
    BV
    DSX
    I
    DSS
    V
    G1S(off)
    V
    G2S(off)
    I
    G1SS
    I
    G2SS
    | y
    fs
    |
    14
    18
    分钟。
    20
    0.01
    6
    –2.0
    –0.7
    ±20
    ±20
    典型值。
    马克斯。
    单位
    V
    mA
    V
    V
    nA
    nA
    ms
    测试条件
    V
    G1S
    = V
    G2S
    = -2 V，I
    D
    = 10
    µ
    A
    V
    DS
    = 5 V, V
    G2S
    = 4 V, V
    G1S
    = 0
    V
    DS
    = 10 V, V
    G2S
    = 4 V，I
    D
    = 10
    µ
    A
    V
    DS
    = 10 V, V
    G1S
    = 4 V，I
    D
    = 10
    µ
    A
    V
    DS
    = 0, V
    G1S
    =
    ±8
    V, V
    G2S
    = 0
    V
    DS
    = 0, V
    G2S
    =
    ±8
    V, V
    G1S
    = 0
    V
    DS
    = 5 V, V
    G2S
    = 4 V，I
    D
    = 10毫安，
    F = 1千赫
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    功率增益
    噪声系数
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    G
    ps
    *
    NF *
    16
    1.5
    0.5
    1.0
    0.02
    18
    2.7
    4.5
    2.5
    1.5
    0.03
    pF
    pF
    pF
    dB
    dB
    V
    DS
    = 10 V, V
    G2S
    = 4 V，I
    D
    = 10毫安，
    F = 900兆赫
    V
    DS
    = 10 V, V
    G2S
    = 4 V,
    I
    D
    = 10 mA时， F = 1兆赫
    I
    DSS
    分类
    类
    记号
    I
    DSS
    L / LS *
    U65
    0.01〜2
    K / KS *
    U66
    1〜6个
    *
    旧规格/新规范
    一号文件P10411EJ1V0DS00 （第1版）
    （上一页第TN- 1758 ）
    发布日期1995年P月
    日本印刷
    3
    0.4
    +0.1
    –0.05
    ©
    1995

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