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    3SK177 参数 Datasheet PDF下载

    3SK177图片预览
    型号： 3SK177
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： RF放大器。超高频电视调谐器N沟道砷化镓双栅MES场效应晶体管4针微型模具 [RF AMP. FOR UHF TV TUNER N-CHANNEL GaAs DUAL-GATE MES FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PIN MINI MOLD]
    分类和应用： 晶体放大器晶体管场效应晶体管电视光电二极管栅
    文件页数/大小： 6 页 / 61 K
    品牌： NEC [ NEC ]
     浏览型号3SK177的Datasheet PDF文件第2页浏览型号3SK177的Datasheet PDF文件第3页浏览型号3SK177的Datasheet PDF文件第4页浏览型号3SK177的Datasheet PDF文件第5页浏览型号3SK177的Datasheet PDF文件第6页  
    数据表
    MES场效应晶体管
    3SK177
    RF放大器。超高频电视调谐器
    N沟道砷化镓双栅MES场效应晶体管
    4针微型模具
    特点
    •适合用作RF放大器UHF电视调谐器。
    •低C
    RSS
    ： 0.02 pF的典型。
    •高G
    PS
    ：20 dB典型值。
    •低NF 1.1 dB典型值。
    包装尺寸
    以毫米为单位
    0.4
    +0.1
    –0.05
    1.5
    +0.2
    –0.1
    2
    3
    4
    5˚
    0.4
    +0.1
    –0.05
    0.16
    +0.1
    –0.06
    5˚
    1.源
    2.漏
    3.门2
    4.门1
    5˚
    测试条件
    V
    G1S
    = –4 V, V
    G2S
    = 0, I
    D
    = 10
    µ
    A
    V
    DS
    = 5 V, V
    G2S
    = 0, V
    G1S
    = 0
    V
    DS
    = 5 V, V
    G2S
    = 0, I
    D
    = 100
    µ
    A
    V
    DS
    = 5 V, V
    G1S
    = 0, I
    D
    = 100
    µ
    A
    V
    DS
    = 0, V
    G1S
    = –4 V, V
    G2S
    = 0
    V
    DS
    = 0, V
    G2S
    = –4 V, V
    G1S
    = 0
    V
    DS
    = 5 V, V
    G2S
    = 1 V，I
    D
    = 10毫安，
    F = 1.0千赫
    V
    DS
    = 5 V, V
    G2S
    = 1 V，I
    D
    = 10毫安，
    F = 1 MHz的
    V
    DS
    = 5 V, V
    G2S
    = 1 V，I
    D
    = 10毫安，
    F = 900兆赫
    0-0.1
    (1.9)
    0.6
    +0.1
    –0.05
    1
    5˚
    0.4
    +0.1
    –0.05
    2.8
    +0.2
    –0.3
    绝对最大额定值（T
    A
    = 25 ˚C)
    漏源极电压
    1号门至源极电压
    GATE2至源极电压
    漏电流
    总功耗
    通道温度
    储存温度
    V
    DSX
    V
    G1S
    V
    G2S
    I
    D
    P
    T
    T
    ch
    T
    英镑
    13
    –4.5
    –4.5
    40
    200
    125
    -55到+125
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ˚C
    ˚C
    +0.2
    1.1
    –0.1
    电气特性（T
    A
    = 25 ˚C)
    特征
    漏源击穿电压
    漏电流
    GATE1到源截止电压
    GATE2到源截止电压
    GATE1反向电流
    GATE2反向电流
    转发Transter准入
    符号
    BV
    DSX
    I
    DSS
    V
    G1S(off)
    V
    G2S(off)
    I
    G1SS
    I
    G2SS
    | y
    fs
    |
    18
    25
    分钟。
    13
    5
    20
    40
    –3.5
    –3.5
    10
    10
    35
    典型值。
    马克斯。
    单位
    V
    mA
    V
    V
    µ
    A
    µ
    A
    ms
    输入电容
    反向传输电容
    功率增益
    噪声系数
    C
    国际空间站
    C
    RSS
    G
    PS
    NF
    0.5
    1.0
    0.02
    1.5
    0.03
    pF
    pF
    dB
    16.0
    20.0
    1.1
    2.5
    dB
    I
    DSS
    分类
    类
    记号
    I
    DSS
    U71
    U71
    5至15
    U72
    U72
    10至25
    U73
    U73
    20至35
    单位：毫安
    U74
    U74
    30至40
    一号文件P10412EJ1V0DS00 （第1版）
    （上一页第TN- 1877）
    发布日期1995年P月
    日本印刷
    0.8
    29.02
    (1.8)
    0.850.95
    ©
    1995

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