数据表
MRSS31U
微功耗内置集成电路超最低MR传感器
特点
*微功率( 15μW (典型值) : VCC = 3V )
和高灵敏度( 200万吨(典型值) )
(适合电池操作)
*超小尺寸
MR(磁阻)传感器
*
体积和安装面积为50%的
比MRSS22L小。
*
高度小于4mm左右下
MRSS22L.
*操作在单程磁场
*独立操作杆
(易制造)
*卓越的温度稳定性
*无铅产品
2.Fundamental操作
磁场2-1.Direction
2-2.Circuit座
开关
R1
R2
2.0
± 0.2
0.3
+0.1
-0.05
MR传感器
1.Dimension (单位:毫米)
0.25
±0.1
0.15
+0.1
-0.05
GND
2 .1
±0.1
1 .6
0 ∼0.05
VCC
OUT
0.6 5
0.65
马x0.8,更能体现
V�½��½�
采样
逻辑
LATCH
OP -AMP
MOS
手术
OUT
R3
R4
GND
R1 ~R4 :MR元素
2-3.Performance特性( 25 ± 3C)
工作要求
条件
H = 0 MT(
磁通密度)
[ 0 A / M(
磁场强度
)]
H
≥
2.0
(典型值)
MT(
磁通密度)
[ 1.6kA /米(
磁场强度)
]
H
≤
0.5 MT(
磁通量密度
)
[0.4kA/m(
磁场强度)
]
产量
电压
Hi电平
罗级别
Hi电平
当电源开关处于ON
当施加磁场
当施加磁场
0.4
±0.1