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NE3210S01 参数 Datasheet PDF下载

NE3210S01图片预览
型号: NE3210S01
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内容描述: X到Ku波段超低噪声放大器N沟道HJ -FET [X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET]
分类和应用: 晶体放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
文件页数/大小: 16 页 / 63 K
品牌: NEC [ NEC ]
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数据表
异质结型场效应晶体管
NE3210S01
X到Ku波段超低噪声放大器
N沟道HJ -FET
描述
该NE3210S01是一个异质结场效应管是利用异质结形成高电子迁移率。其
优异的低噪声和相关的增益,使其适合于DBS和另一商业系统。
特点
•超低噪声系数和放大器;关联度高增益
NF = 0.35 dB典型值。 GA = 13.5 dB典型值。在f = 12 GHz的
•门长度:LG
0.20
µ
m
•闸门宽度:毛重= 160
µ
m
订购信息( PLAN)
产品型号
NE3210S01-T1
NE3210S01-T1B
供给方式
磁带&卷轴1 000件/卷
磁带&卷轴4000件/卷
记号
K
备注
样品订购,请联系您当地的NEC销售办事处。 (样品订购部件号: NE3210S01 )
绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
G
P
合计
T
ch
T
英镑
评级
4.0
–3.0
IDSS
100
165
125
-65到+125
单位
V
V
mA
µ
A
mW
°C
°C
推荐工作条件(T
A
= +25°C)
特征
漏源极电压
漏电流
输入功率
符号
V
DS
I
D
P
in
分钟。
1
5
典型值。
2
10
马克斯。
3
15
0
单位
V
mA
DBM
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文档,请前
证实,这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件P14067EJ2V0DS00 (第2版)
发布日期1999年11月ñ CP ( K)
日本印刷
商标
表示主要修改点。
©
1999