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NE32584C-T1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: NE32584C-T1
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内容描述: 超低噪声赝HJ FET [ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 57 K
品牌: NEC [ NEC ]
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超低噪声
赝HJ FET
特点
•超低噪声指数:
0.45分贝一般在12 GHz的
•高相关的增益:
12.5分贝一般在12 GHz的
• L
G
0.20
µm,
W
G
= 200
µm
•低成本金属陶瓷封装
• TAPE &卷轴包装选项中提供
噪声系数NF ( dB)的
1.2
NE32584C
噪声系数& ASSOCIATED
增益与频率
V
DS
= 2 V,I
DS
= 10毫安
24
G
A
0.8
18
0.6
15
描述
该NE32584C是一个伪形态异质结场效应管的
使用Si掺杂的AlGaAs和未掺杂之间的结
砷化铟镓创造非常高的电子迁移率。该装置
特色蘑菇状TiAl金属门的门下降
性和改善的功率处理能力。该
蘑菇门也导致了更低的噪声系数和高
相关增益。该器件采用环氧树脂密封,
金属/陶瓷封装,适用于高音量控制
苏美尔和工业应用。
NEC严格的质量保证和测试程序保证
最高的可靠性和性能。
0.4
NF
0.2
12
9
0
2
4
6
8
10
20
30
6
频率f ( GHz)的
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
NF
1
NE32584C
84C
单位
dB
dB
mA
V
mS
µA
° C / W
° C / W
11.0
20
-2.0
45
典型值
0.45
12.5
60
-0.7
60
0.5
750
350
10.0
90
-0.2
最大
0.55
参数和条件
最佳的噪声系数,V
DS
= 2 V,I
DS
= 10 mA时, F = 12 GHz的
相关的增益,V
DS
= 2 V,I
DS
= 10 mA时, F = 12 GHz的
饱和漏极电流,V
DS
= 2 V,V
GS
= 0 V
夹断电压,V
DS
= 2 V,I
DS
= 100
µA
跨导,V
DS
= 2 V,I
D
= 10毫安
门源漏电流,V
GS
= -3 V
热电阻(通道到环境)
热电阻(通道到外壳)
G
A
1
I
DSS
V
P
g
m
I
GSO
R
第(章-a)的
R
TH( CH-C )
注意:
的噪声系数和相关的增益1的典型值获得的那些,当从大量材料50%的设备分别单独
在与输入单独调谐,得到最小值的电路测量的。最高值是在生产线上建立的标准
作为"go -NO- go"筛查调整为"generic"类型,但不是每个标本。
美国加州东部实验室
相关的增益,G
A
( dB)的
1.0
21