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    NE325S01-T1B 参数 Datasheet PDF下载

    NE325S01-T1B图片预览
    型号： NE325S01-T1B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： C到Ku波段超低噪声放大器N沟道HJ -FET [C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET]
    分类和应用： 晶体放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
    文件页数/大小： 12 页 / 62 K
    品牌： NEC [ NEC ]
     浏览型号NE325S01-T1B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NE325S01-T1B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NE325S01-T1B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NE325S01-T1B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NE325S01-T1B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NE325S01-T1B的Datasheet PDF文件第7页浏览型号NE325S01-T1B的Datasheet PDF文件第8页浏览型号NE325S01-T1B的Datasheet PDF文件第9页  
    数据表
    异质结型场效应晶体管
    NE325S01
    C到Ku波段超低噪声放大器
    N沟道HJ -FET
    描述
    该NE325S01是一个异质结型场效应管，它利用
    异质结打造高电子迁移率。其优异的
    低噪声和高增益相关使其适合于星展银行
    另有商业系统。
    包装尺寸
    （单位：毫米）
    2.0 ±0.2
    特点
    •超低噪声系数和放大器;关联度高增益
    NF = 0.45 dB典型值。 ，G
    a
    为12.5 dB典型值。在f = 12 GHz的
    •门长度：L
    g
    ≤
    0.20
    µ
    m
    •闸门宽度：W
    g
    = 200
    µ
    m
    0
    2.
    1
    .2
    ±0
    0.5 TYP 。
    订购信息
    产品型号
    NE325S01-T1
    NE325S01-T1B
    供给方式
    磁带&卷轴1000件/卷
    磁带&卷轴4000件/卷
    记号
    D
    D
    3
    0.65典型。
    1.9 ±0.2
    1.6
    4
    绝对最大额定值（T
    A
    = 25 ˚C)
    漏源极电压
    栅极至源极电压
    漏电流
    栅电流
    总功耗
    通道温度
    储存温度
    V
    DS
    V
    GS
    I
    D
    I
    G
    P
    合计
    T
    ch
    T
    英镑
    4.0
    –3.0
    I
    DSS
    100
    165
    125
    -65到+125
    V
    V
    mA
    1.
    2.
    3.
    4.
    来源
    漏
    来源
    门
    µ
    A
    mW
    ˚C
    ˚C
    0.125 ±0.05
    0.4MAX
    4.0 ±0.2
    推荐工作条件（T
    A
    = 25 ˚C)
    特征
    漏源极电压
    漏电流
    输入功率
    符号
    V
    DS
    I
    D
    P
    in
    分钟。
    典型值。
    2
    10
    马克斯。
    3
    20
    0
    单位
    V
    mA
    DBM
    一号文件P11138EJ3V0DS00 （第3版）
    发布日期1996年十月ñ
    日本印刷
    ©
    1.5 MAX
    2.0 ±0.2
    2
    1996

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