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NE34018-T1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: NE34018-T1
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内容描述: L到S波段低噪声放大器N沟道HJ -FET [L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET]
分类和应用: 晶体放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管
文件页数/大小: 16 页 / 115 K
品牌: NEC [ NEC ]
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数据表
HJ- FET
NE34018
L到S波段低噪声放大器
N沟道HJ -FET
描述
NE34018是一个n沟道HJ -FET容纳在模具封装。
包装尺寸
以毫米为单位
特点
x
低噪声系数
NF = 0.6 dB典型值。在f = 2 GHz的
2
2.1 ±0.2
1.25 ±0.1
(1.25)
0.60 0.65
+0.1
0.3
+0.1
–0.05
0.3 0.4
–0.05
0.3
+0.1
–0.05
0.15
+0.1
–0.05
0.3
+0.1
–0.05
(1.3)
4
0-0.1
3
x
高增益相关
2.0 ±0.2
GA = 16 dB典型值。在f = 2 GHz的
x
x
x
V63
门宽:毛重= 400
P
m
4引脚超小模具
磁带&卷轴包装仅
订购信息
产品型号
QUANTITY
3千件/卷。
包装方式
压纹带8mm宽。 3脚
(来源) ,引脚4 (漏)脸
带的穿孔侧。
压纹带8mm宽。销1
(来源) ,引脚2 (门)脸
带的穿孔侧。
NE34018-T1
0.9 ±0.1
NE34018-T2
3千件/卷。
*
请与NEC负责人,如果你需要评估咨询,
样本。样本股数量为50个。 (样品部件号
顺序: NE34018 )
绝对最大额定值(T
A
= 25
q
C)
漏源极电压
栅极至源极电压
栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
V
DS
V
GS
I
D
P
合计
T
ch
T
英镑
4.0
ð3.0
I
DSS
150
125
ð65
+125
V
V
mA
mW
qC
qC
一号文件P11618EJ3V0DS00 (第3版)
发布日期1997年九月ñ
日本印刷
1
引脚连接
1.源
2.门
3.源
4.漏
©
1996