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    NE4210S01-T1B 参数 Datasheet PDF下载

    NE4210S01-T1B图片预览
    型号： NE4210S01-T1B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： X到Ku波段超低噪声放大器N沟道HJ -FET [X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET]
    分类和应用： 晶体放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
    文件页数/大小： 16 页 / 65 K
    品牌： NEC [ NEC ]
     浏览型号NE4210S01-T1B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NE4210S01-T1B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NE4210S01-T1B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NE4210S01-T1B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NE4210S01-T1B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NE4210S01-T1B的Datasheet PDF文件第7页浏览型号NE4210S01-T1B的Datasheet PDF文件第8页浏览型号NE4210S01-T1B的Datasheet PDF文件第9页  
    数据表
    异质结型场效应晶体管
    NE4210S01
    X到Ku波段超低噪声放大器
    N沟道HJ -FET
    描述
    该NE4210S01是一个异质结场效应管是利用异质结形成高电子迁移率。其
    优异的低噪声和相关的增益，使其适合于DBS和另一商业系统。
    特点
    •超低噪声系数和放大器;关联度高增益
    NF = 0.5 dB典型值。 GA = 13.0分贝TYP 。 @f = 12 GHz的
    •门长度：L
    g
    ≤
    0.20
    µ
    m
    •闸门宽度：W
    g
    = 160
    µ
    m
    订购信息（ PLAN）
    产品型号
    NE4210S01-T1
    NE4210S01-T1B
    记号
    L
    供给方式
    磁带&卷轴1 KP /卷
    磁带&卷轴4 KP /卷
    备注
    如需订购评估样品，请联系您当地的NEC销售办事处。 （样品订购部件号：
    NE4210S01)
    绝对最大额定值（T
    A
    = +25°C)
    参数
    漏源极电压
    栅极至源极电压
    漏电流
    栅电流
    总功耗
    通道温度
    储存温度
    符号
    V
    DS
    V
    GS
    I
    D
    I
    G
    P
    合计
    T
    ch
    T
    英镑
    评级
    4.0
    –3.0
    I
    DSS
    100
    165
    125
    -65到+125
    单位
    V
    V
    mA
    µ
    A
    mW
    °C
    °C
    推荐工作条件（T
    A
    = +25°C)
    参数
    漏源极电压
    漏电流
    输入功率
    符号
    V
    DS
    I
    D
    P
    in
    分钟。
    1
    5
    –
    典型值。
    2
    10
    –
    马克斯。
    3
    15
    0
    单位
    V
    mA
    DBM
    本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
    证实，这是最新版本。
    不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
    供应及其他信息。
    一号文件P14232EJ2V0DS00 （第2版）
    发布日期1999年11月ñ CP （ K）
    日本印刷
    商标
    表示主要修改点。
    ©
    1999

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