数据表
MOS场效应
µ
PA1721
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
封装图（单位：mm ）
8
5
1,2,3 ;源
;门
4
5,6,7,8 ;漏
描述
该
µ
PA1721是N-沟道MOS场效应
晶体管设计的DC / DC转换器和功率
管理应用程序的笔记本电脑。
特点
•
低导通电阻
R
DS(on)1
= 10.5 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 5.0 A)
1.44
1
5.37最大。
+0.10
–0.05
4
6.0 ±0.3
4.4
0.8
R
DS(on)2
= 14.0 mΩ以下。 （V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.0 A)
•
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 2200 pF的典型。
•
内置G -S保护二极管
•
小型表面贴装封装（ SOP8电）
1.8 MAX 。
R
DS(on)3
= 17.0 mΩ以下。 （V
GS
= 4.0 V，I
D
= 5.0 A)
0.15
0.05分钟。
0.5 ±0.2
0.10
1.27 0.78最大。
0.40
+0.10
–0.05
0.12 M
订购信息
产品型号
包
电源SOP8
µ
PA1721G
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C，所有的终端连接。 ）
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
Note1
Note2
等效电路
漏
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
T
ch
T
英镑
30
±20
±10
±40
2.0
150
-55到+150
V
V
A
A
W
°C
°C
门
保护
二极管
来源
门
体
二极管
总功率耗散（T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
注意事项1 。
PW
≤
10
µ
S，占空比
≤
1 %
•
2.
装在1200毫米× 2.2毫米陶瓷基板
备注
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。
当此装置实际使用时，一个额外的保护电路，如果一个电压从外部要求的
超过额定电压可以施加到该装置。
2
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文档编号
G13889EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1999年11月NS CP （ K）
日本印刷
商标
5
表示主要修改点。
©
1998,1999
NEC [ NEC ]
