数据表
MOS场效应
µ
PA2790GR
开关
的N-和P-沟道功率MOS场效应管
描述
该
µ
PA2790GR是N沟道和P沟道MOS场效应
晶体管专为电机驱动应用。
8
封装图（单位：mm ）
5
N沟道
1 ： 1来源
2 ： 1门
7,8 ：汲极1
P沟道
3 ： 2来源
4 ： 2门
5 ，6：排水2
6.0 ±0.3
特点
•
低通态电阻
N沟道ř
DS(on)1
= 28 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 3 A)
1.8 MAX 。
R
DS(on)2
= 40 mΩ的最大。 （V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3 A)
P沟道ř
DS(on)1
= 60 mΩ以下。 （V
GS
=
−10
V，I
D
=
−3
A)
R
DS(on)2
= 80 mΩ以下。 （V
GS
=
−4.5
V，I
D
=
−3
A)
•
低输入电容
N沟道ç
国际空间站
= 500 pF的典型。
P沟道
C
国际空间站
= 460 pF的典型。
1
4
+0.05
–0.10
5.37最大。
4.0
1.0
0.20
0.10最小。
0.6
1.27
0.12 M
0.40
+0.11
–0.05
0.5 ±0.2
0.10
•
内置栅极保护二极管
•
小型表面贴装封装（ SOP8电）
等效电路
N沟道
漏
P沟道
漏
订购信息
产品型号
包
电源SOP8
门
保护
二极管
来源
门
体
二极管
门
体
二极管
µ
PA2790GR
门
保护
二极管
来源
备注
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。
当此装置实际使用时，一个额外的保护电路由外部要求，如果电压超过
额定电压可以施加到该装置。
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一号文件G16954EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期2004年8月NS CP （ K）
日本印刷
商标
表示主要修改点。
2004
NEC [ NEC ]
