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    GQM1555G2D6R7BB01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
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    GRM319R60J106KE19#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
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    GRM1881X1H621JA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    PSMN6R8-40HS

     N-channel 40 V, 6.8 mOhm, standard level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technologyProduction
    暂无信息
    1 NEXPERIA

    FDP8870

     N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V，156A，4.1mΩ
    局域网PC开关晶体管
    0 ONSEMI

    GCJ188R92A562KA01#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM188R71H153JA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GR432D7U2J822JWC2#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
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    IMW65R039M1H

     CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。IMW65R039M1H 650V CoolSiC™ MOSFET 基于先进的沟槽半导体技术，并经过优化，在毫不折衷的情况下，在应用中实现最低损耗，并在运行中实现最佳可靠性。 此 SiC MOSFET 采用 TO247 3 引脚封装，以提供经济高效的性能。
    半导体
    0 INFINEON

    FDD120AN15A0

     N 沟道 PowerTrench® MOSFET，150V，14A，120mΩ
    开关晶体管
    1 ONSEMI

    NXH35C120L2C2ESG

     IGBT Module, CIB 1200 V, 35 A IGBT - DBC with enhanced thermal conductivity
    双极性晶体管
    0 ONSEMI

    PESD5V5V1BCSF

     Ultra low clamping bidirectional ESD protection diodeProduction
    暂无信息
    0 NEXPERIA

    ISC030N12NM6

     This is a normal level 120 V MOSFET in SuperSO8 packaging with 3.04 mOhm on-resistance.  ISC030N12NM6 is part of Infineon’s OptiMOS™ 6 power MOSFET family.
    暂无信息
    0 INFINEON

    GCM3195C2A432FA16#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
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    GRM319R72A682KA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
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