数据表
双极模拟集成电路
µ
PC8179TB
硅MMIC低电流放大器
移动通信
描述
该
µ
PC8179TB是设计为放大器，用于移动通信的硅单片集成电路。这
集成电路可以实现低电流消耗与外部片式电感器，可以不实现对内部50
Ω
宽带匹配的IC 。这种低电流放大器工作在3.0 V.
该IC采用NEC公司的30 GHz的˚F制造
最大
UHS0 （超高速加工）的硅双极工艺。这
工艺采用直接氮化硅钝化膜和金电极。这些材料可以保护芯片表面
从污染和防止腐蚀/迁移。因此，该集成电路具有优异的性能，均匀性和可靠性。
特点
•低电流消耗
•电源电压
•高效率
: I
CC
= 4.0毫安TYP 。 @ V
CC
= 3.0 V
: V
CC
= 2.4〜 3.3 V
: P
O（1 dB为单位）
= +3.0 dBm的典型。 @ F = 1.0 GHz的
P
O（1 dB为单位）
= +1.5 dBm的典型。 @ F = 1.9 GHz的
P
O（1 dB为单位）
= +1.0 dBm的典型。 @ F = 2.4 GHz的
•功率增益
: G
P
= 13.5 dB典型值。 @ F = 1.0 GHz的
G
P
= 15.5分贝TYP 。 @ F = 1.9 GHz的
G
P
= 15.5分贝TYP 。 @ F = 2.4 GHz的
•卓越的隔离
： ISL = 44 dB典型值。 @ F = 1.0 GHz的
ISL = 42 dB典型值。 @ F = 1.9 GHz的
ISL = 41 dB典型值。 @ F = 2.4 GHz的
•工作频率
•重量轻
：0.1至2.4千兆赫（输出端口LC匹配）
： 7毫克（标准值）
•高密度表面安装： 6针超级minimold封装（ 2.0
×
1.25
×
0.9 mm)
应用
•在0.1〜 2.4 GHz的移动通信系统的缓冲放大器
小心静电敏感器件
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一号文件P14730EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期2000年8月ñ CP （ K）
日本印刷
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