数据表
MOS集成电路
µ
PD16803
单片双H桥驱动电路
描述
该
µ
PD16803是单片双H桥驱动电路,它使用N沟道功率MOS场效应管在它的驱动器级。
通过采用功率MOS场效应管的输出级,该驱动电路具有实质上改进了饱和电压
和功率消耗,与使用双极型晶体管的常规驱动电路相比。
此外,驱动电流可通过在电源节省模式的外部电阻来调整。
该
µ
PD16803因此,理想的为2相励磁,双极驱动的步进电动机的头驱动电路
执行器的FDD的。
特点
•低导通电阻(顶部和底部的晶体管的ON电阻之和)
R
ON1
= 1.5
Ω
典型值。 (V
M
= 5.0 V)
R
ON2
= 2.0
Ω
典型值。 (V
M
= 12.0 V)
•低功耗:我
DD
= 0.4毫安TYP 。
•停止模式功能将关闭所有输出晶体管
•紧凑的表面贴装封装: 20引脚塑料SOP ( 300万)
引脚配置(顶视图)
C1H
C2L
V
M1
1A
保护地
2A
V
DD
IN
1
IN
2
INC。
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
C1L
C2H
V
G
1B
保护地
2B
V
M2
R
X
PS
DGND
一号文件S11452EJ2V0DS00 (第2版)
发布日期1997年七月ñ
日本印刷
©
1997