UPD16808 参数 Datasheet PDF下载

型号：	UPD16808
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内容描述：	单片双H桥驱动电路 [MONOLITHIC DUAL H BRIDGE DRIVER CIRCUIT]
分类和应用：	驱动
文件页数/大小：	12 页 / 98 K
品牌：	NEC [ NEC ]

数据表

MOS集成电路

PD16808

单片双H桥驱动电路

描述

该

PD16808是采用N沟道功率MOS场效应管其驱动单片双H桥驱动电路

阶段。通过使用功率MOS场效应晶体管输出级，饱和电压和功率消耗基本

改善，与使用双极型晶体管的常规驱动电路相比。

因为在输出级中的双H桥驱动电路是相互独立的，该IC是理想的，因为驱动

电路，用于为1〜 2相励磁双极驱动步进电机用于FDD的磁头致动器。

特点

•低导通电阻（的顶部和底部FET的导通电阻之和

)

ON1

= 1.0

Ω

典型值。（V

= 5.0 V)

ON2

= 1.5

Ω

典型值。（V

= 12.0 V)

•低功耗：我

= 0.4毫安TYP 。

•四种输入模式独立控制的双H桥驱动器（带1〜 2相励磁选择）

•电机电压12 V / 5 V兼容

•紧凑的表面贴装封装： 20引脚塑料SOP （ 300万）

引脚配置（顶视图）

C1H

C2L

保护地

C1L

C2H

保护地

SEL

DGND

一号文件S12720EJ2V0DS00 （第2版）

发布日期1997年九月ñ

日本印刷

1997

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