数据表
µ
PD42S18165L ， 4218165L
3.3 V工作电压16 M位动态RAM
1 m字×16位， EDO ，字节读/写模式
MOS集成电路
描述
该
µ
PD42S18165L ， 4218165L有1,048,576字×16位CMOS动态RAM可选EDO 。
EDO是一种在网页的模式，对于读操作是有用的。
此外，该
µ
PD42S18165L可以RAS自刷新之前执行CAS 。
该
µ
PD42S18165L ， 4218165L封装在50引脚塑料TSOP （ II）和42引脚塑料SOJ 。
特点
• EDO （超页模式）
• 1,048,576字×16位的组织
•单+ 3.3V
±0.3
V电源
•快速访问和周期时间
耗电量
主动（ MAX 。 ）
612毫瓦
540毫瓦
504毫瓦
存取时间
（ MAX 。 ）
50纳秒
60纳秒
70纳秒
R / W周期时间
（分）
84纳秒
104纳秒
124纳秒
EDO （超页模式）
周期时间（min 。 ）
20纳秒
25纳秒
30纳秒
产品型号
µ
PD42S18165L - A50 ， 4218165L -A50
µ
PD42S18165L - A60 ， 4218165L - A60
µ
PD42S18165L - A70 ， 4218165L - A70
•该
µ
PD42S18165L可以RAS自刷新之前执行CAS
功耗待机
（ MAX 。 ）
0.54毫瓦
（ CMOS电平输入）
产品型号
刷新周期
1024次/ 128毫秒
刷新
CAS RAS自刷新之前，
CAS RAS刷新之前，
RAS只刷新，刷新隐藏
µ
PD42S18165L
µ
PD4218165L
1024次/ 16毫秒
CAS RAS刷新之前，
RAS只刷新，
隐藏刷新
1.8毫瓦
（ CMOS电平输入）
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一号文件M10562EJ8V0DS00 （第8版）
发布日期1997年一月ñ
日本印刷
商标
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