数据表
MOS集成电路
µ
PD43256B
256K - BIT的CMOS静态RAM
32K -字×8位
描述
该
µ
PD43256B是一种高速，低功耗， 262 ， 144位（ 32,768字由8位）的CMOS静态RAM 。
备用电池是可用的（ L， LL ，A和B版本） 。 A和B版本是宽电压操作。
该
µ
PD43256B是装在28引脚塑料DIP ， 28引脚塑料SOP和28引脚塑料TSOP （ I） 。
特点
• 32,768字由8位机构
•快速存取时间： 70 ， 85 ， 100 ， 120 ， 150纳秒（MAX 。 ）
•宽电压范围（A版本： V
CC
= 3.0〜 5.5 V ，B版本： V
CC
= 2.7〜5.5 V）的
• 2 V数据保留
• OE输入，方便应用
操作
电源电压
V
4.5 〜5.5
操作
温度
°C
0到70
待机
电源电流
µ
A（ MAX 。 ）
50
15
3.0到5.5
2.7〜5.5
数据保留
电源电流
注1
µ
A（ MAX 。 ）
3
2
产品型号
存取时间
NS （ MAX 。 ）
70, 85
70, 85
85, 100
注2
, 120
注2
100, 120, 150
µ
PD43256B-L
µ
PD43256B-LL
µ
PD43256B-A
µ
PD43256B-B
注2
注意事项1 。
T
A
≤
40 C，V
CC
= 3 V
2.
访问时间： 85纳秒（MAX 。 ）（V
CC
= 4.5〜 5.5 V ）
版本X和P
此数据表可以被施加到X版本和P.每个版本识别与它的批号。在字母X
在一个批号的第五个字符表示位置X版本，字母P ，版本P.
日本
D43256B
批号
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。
一号文件M10770EJ9V0DS00 （第9版）
发布日期1997 N可
日本印刷
商标
表示主要修改点。
©
1990, 1993, 1994
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