数据表
砷化镓集成电路
µ
PG2009TB
L波段高功率SPDT开关
描述
该
µ
PG2009TB是一个L波段的SPDT （单刀双掷）的GaAs FET的开关，它被用于数字开发
蜂窝或无绳电话应用程序。该装置可以操作为500MHz到2.5GHz的，具有低的插入
损耗和高隔离度由2.8 V控制电压。
特点
•低插入损耗
•高隔离
•高功率
: L
插件
= 0.25 dB典型值。 @ V
cont1/2
= 2.8 V / 0 V ， F = 1.0 GHz的
L
插件
= 0.30 dB典型值。 @ V
cont1/2
= 2.8 V / 0 V ， F = 2.0 GHz的
： ISL = 28 dB典型值。 @ V
cont1/2
= 2.8 V / 0 V ， F = 2.0 GHz的
: P
在（ 0.1分贝）
= 34 dBm的典型。 @ V
cont1/2
= 2.8 V / 0 V ， F = 1.0 GHz的
• 6引脚超minimold封装（ 2.0
×
1.25
×
0.9 mm)
应用
• L波段数字蜂窝或者无绳电话
• Buletooth
TM
， W- LAN和WLL应用
订购信息
产品型号
包
6针超级Minimold
记号
G2U
供给方式
•
压纹带8mm宽
•
销1 ，2，3面带的穿孔侧
•
数量3千件/卷
µ
PG2009TB-E3
备注
如需订购样品评价，请联系您最近的销售部门。
样品订购部件号：
µ
PG2009TB
当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
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代表性的产品供应及其他信息。
一号文件PG10191EJ02V0DS （第2版）
发布日期2004年7月CP （ K）
日本印刷
商标
表示主要修改点。
NEC化合物半导体器件，公司2002年， 2004年
NEC [ NEC ]
