半导体
RoHS指令
12T系列
RoHS指令
通态电流图7非重复性浪涌峰值
对于正弦脉冲宽度TP <为10ms 。
和升的相应值
2
t.
l
TSM
（A ） ，L
2
T（A
2
s)
门极触发电流的图8相对变化，持股
当前和闭锁电流对结
温度（典型值）。
l
GT
,
l
H
,
l
L
[T
j
] / l
GT
,l
H
,l
L
[T
j
=25°C]
2.5
T
j
initial=25°C
1000
di / dt的限制：
50A/µs
2.0
I
GT
I
TSM
1.5
I
H
＆放大器;
I
L
100
I
2
t
1.0
0.5
t
p
（女士）
10
0.01
0.10
1.00
10.00
T
j
(°C)
0.0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
减少爆击率的图9相对变化
主电流对（的dV / dt ）C （典型值） 。
临界速度的图10相对变化
下降主要与当前（的dV / dt ）的c
（典型值）。
（ di / dt的） C [ （的dV / dt ） C] /
特定网络版
（ di / dt的）C
2.8
2.4
2.0
C
SW
B
CW / BW
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
（ di / dt的） C [ （的dV / dt ） C] /
特定网络版
（ di / dt的）C
TW
1.6
1.2
0.8
0.4
（的dV / dt ）C （V / μs）内
1.0
10.0
100.0
1.0
0.5
0.0
0.1
1.0
0.0
0.1
（的dV / dt ）C （V / μs）内
10.0
100.0
减少爆击率的图11相对变化
主电流与结温的
图12 ð
2
PAK热阻结到
环境与在铜表面
标签（印刷电路板FR4，铜
厚度为35μm ）
（ di / dt的）C
[T
j
]
（ DL / DT ） C [
T
j
指定]
6
5
4
3
2
1
80
70
60
50
40
30
20
10
R
号（j -a）的
（ ° C / W）
D
2
PAK
S（厘米
2
)
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
T
j
(°C)
0
0
25
50
75
100
125
0
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