半导体
16T系列
RoHS指令
RoHS指令
Fig7 。非重复浪涌峰值通态
电流为正弦
门极触发电流的图8相对变化
I
TSM
（ A） ， I了（ A²s ）
3000
DL / dt的限制：
50A/µs
I
GT
,I
H
,I
L
[T
j
] / I
GT
,I
H
,I
L
[T
j
= 25°C]
TJ初始= 25°C
2.5
2.0
保持电流和闭锁电流对结
温度（典型值）的
1000
LTSM
I
GT
1.5
1.0
0.5
IH&IL
100
脉冲宽度t
p
<10ms和
l²t的相应值
很多
T
j
(°C)
10.00
0.0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
0.01
0.10
1.00
TP（ ms）的
临界速度图9相对变化
下降主要与当前的
（的dV / dt ）C （典型值）
临界速度的图10相对变化
下降主要与当前的
（的dV / dt ）C （典型值）
（ di / dt的） C [ （的dV / dt ） C] /
特定网络版
（ di / dt的）C
2.0
无缓冲器和逻辑电平类型
6
5
4
（ di / dt的） C [ T] / （ di / dt的）C [T
j
š pecified ]
j
标准型
1.8
1.6
SW
C
B
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.1
1.0
CW / BW
3
2
1
（的dV / dt ）C （V / μs）内
10.0
100.0
T
j
(°C)
0
0
25
50
75
100
125
图11 D²PAK热阻结到环境与
根据标签的铜表面（印刷电路FR4，铜
厚度为35μm
R
th
第（j-一）（ ℃/ W）的
80
70
60
50
D²PAK
40
30
20
10
0
0
4
8
12
16
S（平方厘米）
20
24
28
32
36
40
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NELLSEMI [ NELL SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
