1PT08E-08 参数 Datasheet PDF下载

型号：	1PT08E-08
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内容描述：	敏感栅可控硅， 1A [Sensitive gate SCRs, 1A]
分类和应用：	可控硅栅
文件页数/大小：	4 页 / 188 K
品牌：	NELLSEMI [ NELL SEMICONDUCTOR CO., LTD ]

半导体

1PT系列

敏感栅可控硅， 1A

RoHS指令

主要特点

符号

T（ RMS ）

DRM

RRM

价值

600至800

40〜

单位

µA

描述

由于高度敏感的触发电平， 1PT

系列适用于所有应用场合提供

栅极电流是有限的，例如电容性放电

点火，电机控制艾滋病的厨房，过压

其中包括低电源过压保护。

可在通孔或表面贴装封装，

它们提供了在有限的优化性能

空间区域。

(A2)

TO-92

(1PTxxE)

(G)3

1(A1)

绝对最大额定值

参数

通态电流全正弦波有效值

（180°导通角）

平均通态电流

（180°导通角）

不重复浪涌峰值通态

电流（完整周期，T

初始= 25

为融合吨价

通态电流临界上升率

= 2XL

, t

≤100ns

栅极峰值电流

正向峰值功率门

平均门功耗

重复峰值断态电压

反向重复峰值电压

存储温度范围

工作结温范围

符号

T（ RMS ）

测试条件

=85ºC

价值

单位

T（ AV ）

F = 50赫兹

F = 60赫兹

=85ºC

t为20毫秒

T = 16.7毫秒

= 10毫秒

F = 60赫兹

= 20 µs

= 110ºC

0.6

0.72

0.5

0.1

600和800

- 40〜 + 150

TSM

的di / dt

G（ AV ）

DRM

RRM

英镑

A / μs的

=25

C，脉冲width≤0.1微秒

=110ºC

=25ºC

ºC

- 40〜 + 110

www.nellsemi.com

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