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    1T08E-D 参数 Datasheet PDF下载

    1T08E-D图片预览
    型号： 1T08E-D
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 标准的双向可控硅， 1A [Standard TRIACs, 1A]
    分类和应用： 可控硅三端双向交流开关
    文件页数/大小： 5 页 / 458 K
    品牌： NELLSEMI [ NELL SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
     浏览型号1T08E-D的Datasheet PDF文件第1页浏览型号1T08E-D的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1T08E-D的Datasheet PDF文件第3页浏览型号1T08E-D的Datasheet PDF文件第5页  
    半导体
    RoHS指令
    1T系列
    RoHS指令
    门极触发电流图6的相对变化（L
    GT
    )
    和电压（V
    GT
    ）与结温
    l
    GT
    ,V
    GT
    [T
    j
    ] / l
    GT
    ,V
    GT
    [T
    j
    =25°C]
    3.0
    2.5
    2.0
    1.5
    的保持电流图5相对变化和
    锁存电流与结温
    （典型值）
    2.5
    2.0
    1.5
    1.0
    l
    H
    ,l
    L
    [T
    j
    ] / l
    H
    ,l
    L
    [T
    j
    =25°C]
    l
    GT Q1 -Q2
    l
    GT Q3
    l
    GT Q4
    l
    L
    0.5
    1.0
    T
    j
    (°C)
    0.0
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    l
    H
    V
    GT Q1- Q2 -Q3 -Q4
    0.5
    0.0
    -50
    100
    125
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    图7浪涌峰值通态电流 -
    周期数
    通态电流图8非重复性浪涌峰值
    和升的相应值
    2
    吨正弦
    脉冲宽度
    100
    l
    TSM
    （A ） ，L
    2
    T（A
    2
    s)
    T
    j
    初始= 25°C
    9
    8
    l
    TSM
    (A)
    t=20ms
    7
    6
    5
    4
    3
    2
    1
    0
    1
    重复
    T
    AMB
    =95°C
    不重复
    T
    j
    initial=25°C
    一个周期
    DL / dt的限制：
    20A/µs
    20
    l
    TSM
    10
    周期数
    10
    100
    1000
    1
    0.01
    t
    P
    （女士）
    0.10
    1.00
    l
    2
    t
    10.00
    图9通态特性（最大值）
    (l
    TM
    = F（V
    TM
    ))
    l
    TM
    (A)
    10.0
    减少爆击率的图10相对变化
    主电流对（的dV / dt ）的c
    （ di / dt的） C [ （的dV / dt ） C] /
    特定网络版
    （ di / dt的）C
    2.6
    2.4
    2.2
    2.0
    1.8
    1.6
    1.4
    1.2
    1.0
    0.8
    0.6
    0.4
    0.2
    0.0
    0.1
    T
    j
    = T
    j max的情况。
    1.0
    T J = 25°C
    V
    TM
    (V)
    0.1
    0.0
    0.5
    1.0
    1.5
    2.0
    2.5
    3.0
    3.5
    T
    j
    =最大。
    V
    to
    = 0.95V
    R
    d
    = 400mΩ
    T
    D
    （的dV / dt ）C （V / μs）内
    1.0
    10.0
    S
    A
    100.0
    4.0
    4.5
    5.0
    减少爆击率的图11相对变化
    主电流（ DL / DT ）与结
    温度
    （ DL / DT ）C [T
    j
    ] / （DL / DT ）C [T
    j
    指定]
    6
    5
    4
    3
    2
    1
    静态的dV / dt抗扰度图12相对变化
    与结温（门打开）
    （的dV / dt ）C [T
    j
    ] / （的dV / dt ）C [T
    j
    = 125°C]
    6
    5
    4
    3
    2
    1
    V
    D
    =V
    R
    =402V
    T
    j
    (°C)
    0
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    0
    25
    50
    T
    j
    (°C)
    75
    100
    125
    www.nellsemi.com
    第4 5

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