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20T08BI-CW 参数 Datasheet PDF下载

20T08BI-CW图片预览
型号: 20T08BI-CW
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内容描述: 三端双向可控硅, 20A Sunbberless [TRIACs, 20A Sunbberless]
分类和应用: 可控硅三端双向交流开关
文件页数/大小: 5 页 / 1184 K
品牌: NELLSEMI [ NELL SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
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半导体
RoHS指令
20T系列
RoHS指令
双向可控硅, 20A
Sunbberless
特点
中等电流可控硅
用夹子结合低热阻
低热阻陶瓷绝缘
用于绝缘TO- 220AB & TO- 3P封装
剪辑大会
20T系列
UL
认证(档案编号: E320098 )
封装均符合RoHS标准
A1
A2
G
1
2
3
A2
TO-220AB
(非绝缘)
(20TxxA)
TO-220AB
( lnsulated )
(20TxxAI)
应用
RC的无缓冲器的概念抑报价
网络,它是适合于应用程序,例如
相位控制和感应式静电开关或
阻性负载。
由于它们的夹子组件techinque ,它们提供
卓越的性能浪涌电流处理
的能力。
通过使用内部陶瓷垫, 20T系列
提供电压绝缘片(额定2500V
RMS
)
符合UL标准。
A2
A1 A2
G
1
2
G
TO-3P
(非绝缘)
(20TxxB)
TO-3P
(绝缘)
(20TxxBI)
主要特点
符号
I
T( RMS )
V
DRM
/V
RRM
I
GT(Q1)
A2
价值
20
600至1000
35至50
单位
A
V
mA
A1 A2
G
TO-263
(D
2
PAK )
(20TxxH)
绝对最大额定值
参数
RMS通态电流
( FULL
正弦波)
不重复浪涌峰值通态
当前
( FULL
周期,T
j
初始= 25 ° C)
I
2
为融合吨价
通态电流临界上升率
I
G
= 2XL
GT
, t
r
≤100ns
栅极峰值电流
栅极峰值功耗( TP = 20μS )
平均门功耗
存储温度范围
工作结温范围
符号
I
T( RMS )
测试条件
TO-263/TO-220AB/TO-3P
T
c
= 90ºC
20
TO- 220AB绝缘/ TO- 3P绝缘牛逼
c
= 70ºC
F = 50赫兹
F = 60赫兹
余吨
的di / dt
I
GM
P
GM
P
G( AV )
T
英镑
T
j
2
价值
单位
A
I
TSM
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
200
210
200
A
A
2
s
A / μs的
A
W
吨P = 10毫秒
F = 100赫兹
T
p
=20 µs
T
j
=125ºC
T
j
=125ºC
T
j
=125ºC
T
j
=125ºC
50
4
10
1
- 40
to
+ 150
ºC
- 40
to
+ 125
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