半导体
RoHS指令
25T系列
RoHS指令
通态电流图7非重复性浪涌峰值
对于正弦脉冲宽度TP <为10ms 。
和升的相应值
2
t.
l
TSM
(A ) ,L
2
T(A
2
s)
3000
T
j
initial=25°C
di / dt的限制:
50A/µs
门极触发电流的图8相对变化,持股
当前和闭锁电流对结
温度(典型值)。
l
GT
,
l
H
,
l
L
[T
j
] / l
GT
,l
H
,l
L
[T
j
=25°C]
2.5
2.0
I
TSM
1000
I
GT
1.5
I
2
t
I
H
&放大器;
I
L
1.0
0.5
t
p
(女士)
100
0.01
0.0
0.10
1.00
10.00
-40
-20
0
20
T
j
(°C)
40
60
80
100
120
140
减少爆击率的图9相对变化
主电流对(的dV / dt )C (典型值) 。
减少爆击率的图10相对变化
主电流对的T
j
( di / dt的) C [ (的dV / dt ) C] /
特定网络版
( di / dt的)C
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
B
CW / BW
( di / dt的) C [ (的dV / dt ) C] /
特定网络版
( di / dt的)C
6
5
4
3
2
1
100.0
0
0
25
50
75
100
125
(的dV / dt )C (V / μs)内
0.1
1.0
10.0
T
j
(°C)
图11 ð
2
PAK热阻结到
环境与在铜表面
标签(印刷电路板FR4,铜
厚度为35μm )
R
号(j -a)的
( ° C / W)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
TO-263
S(厘米
2
)
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