半导体
RoHS指令
26T系列
RoHS指令
通态电流图7非重复性浪涌峰值
对于正弦脉冲宽度TP <为10ms 。
和升的相应值
2
t.
l
TSM
（A ） ，L
2
T（A
2
s)
3000
T
j
initial=25°C
di / dt的限制：
50A/µs
门极触发电流的图8相对变化，持股
当前和闭锁电流对结
温度（典型值）。
l
GT
,
l
H
,
l
L
[T
j
] / l
GT
,l
H
,l
L
[T
j
=25°C]
2.5
2.0
I
TSM
1000
I
GT
1.5
I
2
t
I
H
＆放大器;
I
L
1.0
0.5
t
p
（女士）
100
0.01
0.0
0.10
1.00
10.00
-40
-20
0
20
T
j
(°C)
40
60
80
100
120
140
减少爆击率的图9相对变化
主电流对（的dV / dt ）C （典型值） 。
减少爆击率的图10相对变化
主电流对的T
j
（ di / dt的） C [ （的dV / dt ） C] /
特定网络版
（ di / dt的）C
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
B
CW / BW
（ di / dt的） C [ （的dV / dt ） C] /
特定网络版
（ di / dt的）C
6
5
4
3
2
1
100.0
0
0
25
50
75
100
125
（的dV / dt ）C （V / μs）内
0.1
1.0
10.0
T
j
(°C)
图11 ð
2
PAK热阻结到
环境与在铜表面
标签（印刷电路板FR4，铜
厚度为35μm ）
R
号（j -a）的
（ ° C / W）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
TO-263
S（厘米
2
)
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