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30PT12C 参数 Datasheet PDF下载

30PT12C图片预览
型号: 30PT12C
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内容描述: Stansard可控硅, 30A [Stansard SCRs, 30A]
分类和应用: 可控硅
文件页数/大小: 6 页 / 885 K
品牌: NELLSEMI [ NELL SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
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半导体
RoHS指令
30PT系列
RoHS指令
Stansard可控硅, 30A
主要特点
符号
I
T( RMS )
V
DRM
/V
RRM
I
GT
价值
30
600 1600
4
to
50
单位
A
V
mA
A1
A2
G
1
2
3
A2
TO-220AB
(非绝缘)
(30PTxxA)
A2
TO-220AB
( lnsulated )
(30PTxxAI)
描述
该30PT系列可控硅整流器是
高性能玻璃钝化技术,
并适用于一般用途的应用,
其中,功耗是至关重要的,如固体
固态继电器,焊接设备和高功率
控制权。
底座上的夹子组装技术,他们提供了一个
性能优越的浪涌电流的能力。
A1 A2
G
A2
A1 A2
G
A1 A2摹
TO-3P
(非绝缘)
(30PTxxB)
TO-3P
(绝缘)
(30PTxxBI)
2
(A2)
TO-263
(D
2
PAK )
(30PTxxH)
TO-247AB
(30PTxxC)
(G)3
1(A1)
绝对最大额定值
参数
通态电流全正弦波有效值
(180°导通角)
符号
测试条件
TO-3P/TO-247AB
I
T( RMS )
TO-220AB/TO-263
TO- 220AB绝缘/ TO- 3P绝缘
平均通态电流
(180°导通角)
不重复浪涌峰值通态
当前
( FULL
周期,T
j
初始= 25 ° C)
I
2
为融合吨价
通态电流临界上升率
I
G
= 2XL
GT
, t
r
≤100ns
栅极峰值电流
TO-3P/TO-247AB
I
T( AV )
TO-220AB/TO-263
TO- 220AB绝缘/ TO- 3P绝缘
I
TSM
I
2
t
的di / dt
I
GM
P
GM
P
G( AV )
V
DRM
V
RRM
T
英镑
T
j
V
RGM
T
j
=125ºC
600
1600
- 40
to
+ 150
ºC
工作结温范围
最大峰值反向栅极电压
- 40
to
+ 125
5
V
V
F = 50赫兹
F = 60赫兹
t
p
= 10毫秒
F = 60赫兹
T
p
= 20 µs
T
p
=20µs
T
j
=125ºC
T
j
= 125ºC
T
j
= 125ºC
T
j
= 125ºC
T
c
=100°C
T
c
=95°C
T
c
=80°C
T
c
=100°C
T
c
=95°C
T
c
=80°C
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
400
420
800
50
4
10
1
A
A
2
s
A / μs的
A
W
W
19
A
30
A
价值
单位
最大功率门
平均门功耗
重复峰值断态电压
反向重复峰值电压
存储温度范围
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