半导体
4PT系列
RoHS指令
RoHS指令
图3平均和DC通态电流对
环境温度（ DPAK ）
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
25
IPAK
DC
α=180°
I
T
（ AV ） （A ）
设备安装在与FR4
推荐焊盘布局
DC
α=180°
DPAK （S = 0.5
cm
²)
1E+0
热阻抗图4相对变化
结点到环境与脉冲持续时间
（ DPAK ）
K = [第Z （J -C ） / Rth的（J -C ） ]
ž日（J -C ）
1E-1
ž日（ J-一）
1E-2
设备安装在与FR4
推荐焊盘布局
牛逼AMB （ ºC ）
50
75
100
125
1E-3
1E-3
吨P（S ）
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
5E+2
门极触发电流图5相对变化
和保持电流与结
温度
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-40
保持电流的图6相对变化
与门极 - 阴极电阻
（典型值）
I
H
[R
GK
] / I
H
[R
GK
=1KΩ
5
4
Tj=25
°
C
I
GT
,I
H
,I
L
[ TJ ] / I
GT
,I
H
,I
L
[ TJ = 25℃ ]
I
GT
l
手
IL
R
GK
=1K
3
2
T J （ ° C）
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
1
R
GK
(K )
0
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
中的dV / dt抗扰性图7相对变化
与门极 - 阴极电阻
（典型值）
10.00
中的dV / dt抗扰性图8相对变化
相对于栅极 - 阴极电容
（典型值）
10
8
的dV / dt [R
GK
] / DV / DT [R
GK
=220Ω]
TJ = 125℃
V
D
= 0.67 X V
DRM
的dV / dt [C
GK
] / DV / DT [R
GK
=220Ω]
V
D
= 0.67 X V
DRM
T
j
=125
°
C
ř GK = 220
1.00
6
4
0.10
2
0.01
R
GK
(KΩ)
0
0
2
4
6
8
C
GK
（ NF）
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000
10
12
14
16
18
20
22
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第4 6
NELLSEMI [ NELL SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
