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4T08AF-S 参数 Datasheet PDF下载

4T08AF-S图片预览
型号: 4T08AF-S
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内容描述: 三端双向可控硅,4A无缓冲器,逻辑层次和水平 [TRIACs, 4A Snubberless, Logic Level and Standard]
分类和应用: 可控硅三端双向交流开关
文件页数/大小: 7 页 / 398 K
品牌: NELLSEMI [ NELL SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
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半导体
RoHS指令
4T系列
RoHS指令
图6浪涌峰值通态电流对数
的周期。
ITSM
(A)
40
Tj
=25°C
图5通态特性(最大值) 。
ITM
(A)
100
35
Tj
=125°C
30
25
10
T
j
马克斯。
:
VTO
= 0.85
V
Rd
= 100
mW
VTM ( V)
不重复
T
j
initial=25°C
t=20ms
一个周期
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1
重复
Tc
=100°C
周期数
1
10
100
1000
通态电流图7非重复性浪涌峰值
对于正弦脉冲宽度TP <为10ms 。
和升的相应值
2
t.
LTSM (A ) ,L
2
T(A
2
s)
1000
T
j
initial=25°C
门极触发电流的图8相对变化,持股
当前和闭锁电流对结
温度(典型值)。
l
GT
,l
H
,l
L
[T
j
] / l
GT
,l
H
,l
L
[T
j
=25°C]
2.5
2.0
100
di / dt的限制:
50A/µs
IGT
ITSM
1.5
IH
&放大器;
IL
1.0
10
I
2
t
0.5
T J ( ° C)
TP( ms)的
1
0.01
0.0
-40
1.00
10.00
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
0.10
减少爆击率的图9相对变化
主电流对(的dV / dt )C (典型值) 。
( di / dt的) C [ (的dV / dt ) C] /
特定网络版
( di / dt的)C
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.1
减少爆击率的图10相对变化
主电流与结温的
( DL / DT )C [T
j
] / (DL / DT )C [T
j
指定]
6
5
4
A
3
2
1
D
T
(的dV / dt )C (V / μs)内
S
T J ( ° C)
0
10.0
100.0
0
25
50
75
100
125
1.0
图11 DPAK热阻结到
环境与在铜表面
标签( priented电路板FR4 ,铜
厚度: 35微米)
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
R
号(j -a)的
° ( C / W)
S(厘米
2
)
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
www.nellsemi.com
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