半导体
RoHS指令
4T系列
RoHS指令
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
无缓冲器和逻辑电平（ 3象限）
4Txxxx
符号
I
GT(1)
V
GT
V
GD
I
H(2)
I
L
dv / dt的
(2)
V
D
= V
DRM
, R
L
= 3.3KΩ
T
j
= 125°C
I
T
= 200毫安
I
-
III
I
G
= 1.2 I
GT
II
V
D
= 67% V
DRM
，门打开，T
j
= 125°C
（的dV / dt ） c = 0.1 V / μs的
（ di / dt的）C
(2)
（的dV / dt ） c = 10 V / μs的
无缓冲
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
分钟。
马克斯。
15
分钟。
20
1.8
0.9
-
测试条件
象限
TW
I
-
II
-
III
V
D
= 12 V ，R
L
= 30Ω
I
-
II
-
III
I
-
II
-
III
马克斯。
分钟。
马克斯。
10
10
1.3
0.2
15
25
30
40
2.7
2.0
-
35
50
mA
60
400
-
-
2.5
A / MS
V / μs的
V
V
mA
马克斯。
05
SW
10
CW
35
mA
单位
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
STANDARD （ 4象限）
4Txxxx
符号
测试条件
象限
I
-
II
-
III
V
D
= 12 V ，R
L
= 30Ω
IV
所有
V
D
= V
DRM
, R
L
= 3.3KΩ ，T
j
= 125°C
I
T
= 200毫安
I
G
= 1.2 I
GT
V
D
= 67% V
DRM
，门打开，T
j
= 125°C
（ di / dt的）C = 1.7 A / MS ，T
j
= 125°C
I
-
III
-
IV
II
的dV / D
t(2)
（ dv / dt的）C
(2)
分钟。
分钟。
所有
马克斯。
马克斯。
5
10
15
5
0.5
10
10
20
5
1
T
5
马克斯。
5
D
5
10
1.3
0.2
10
15
25
10
2
25
25
40
50
V / μs的
5
mA
S
10
10
A
10
25
mA
V
V
mA
单位
I
GT(1)
V
GT
V
GD
I
H(2)
I
L
静态特性
符号
V
TM(2)
V
TO(2)
R
D(2)
I
DRM
I
RRM
I
TM
= 5.5 A，T
P
= 380 µs
阈值电压
动态电阻
V
D
=
V
DRM
V
R
=
V
RRM
测试条件
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
马克斯。
T
j
= 125°C
1
mA
马克斯。
马克斯。
马克斯。
价值
1.55
V
0.85
100
5
mΩ
µA
单位
记
1:
最小升
GT
是guaranted在
5%
升
GT
马克斯。
记
2:
为A2的两极参考A1 。
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第2 7
NELLSEMI [ NELL SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
