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55PT10B 参数 Datasheet PDF下载

55PT10B图片预览
型号: 55PT10B
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内容描述: Stansard可控硅, 55A [Stansard SCRs, 55A]
分类和应用: 可控硅
文件页数/大小: 5 页 / 885 K
品牌: NELLSEMI [ NELL SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
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半导体
RoHS指令
55PT系列
RoHS指令
Stansard可控硅, 55A
主要特点
符号
I
T( RMS )
V
DRM
/V
RRM
I
GT
价值
55
600 1600
80
单位
A
V
mA
1
2
1
3
2
3
2
TO-220AB
(非绝缘)
(55PTxxA)
A2
TO-220AB
( lnsulated )
(55PTxxAI)
描述
该55PT系列可控硅整流器是
高性能玻璃钝化技术,
并适用于一般用途的应用,
其中,功率处理能力和功耗
关键的,例如固态继电器,焊接设备
和高功率电机控制。
底座上的夹子组装技术,他们提供了一个
性能优越的浪涌电流的能力。
由于其内部的陶瓷垫,它们提供
高绝缘电压( 2500V
RMS
).
A1 A2
G
A1 A2
G
A1 A2摹
TO-3P
(非绝缘)
(55PTxxB)
TO-3P
(绝缘)
(55PTxxBI)
A2
1
2
3
2
(A2)
TO-263
(D
2
PAK )
(55PTxxH)
TO-247AB
(非绝缘)
(55PTxxC)
(G)3
1(A1)
绝对最大额定值
参数
通态电流全正弦波有效值
(180°导通角)
符号
测试条件
TO-3P/TO-247AB
I
T( RMS )
TO-220AB/TO-263
TO- 220AB绝缘/ TO- 3P绝缘
平均通态电流
(180°导通角)
不重复浪涌峰值通态
当前
( FULL
周期,T
j
初始= 25 ° C)
I
2
为融合吨价
通态电流临界上升率
V
D
= 67% V
DRM
, t
p
=为200ps ,我
G
= 0.3A
d
IG
/ DT = 0.3A / μs的
栅极峰值电流
最大功率门
平均门功耗
重复峰值断态电压
反向重复峰值电压
存储温度范围
工作结温范围
最大峰值反向栅极电压
I
GM
P
GM
P
G( AV )
V
DRM
V
RRM
T
英镑
T
j
V
RGM
T
j
=125ºC
600
1600
- 40
to
+ 150
ºC
- 40
to
+ 125
5
V
V
T
p
= 20 µs
T
p
=20µs
T
j
=125ºC
T
j
= 125ºC
T
j
= 125ºC
5
10
2
A
W
W
TO-3P/TO-247AB
I
T( AV )
TO-220AB/TO-263
TO- 220AB绝缘/ TO- 3P绝缘
I
TSM
I
2
t
F = 50赫兹
F = 60赫兹
t
p
= 10毫秒
T
c
=85°C
T
c
=80°C
T
c
=70°C
T
c
=85°C
T
c
=80°C
T
c
=70°C
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
520
540
1352
A
A
2
s
35
A
55
A
价值
单位
的di / dt
F = 60赫兹
T
j
= 125ºC
150
A / μs的
www.nellsemi.com
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