半导体
RoHS指令
6T系列
RoHS指令
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
无缓冲器和逻辑电平（ 3象限）
6Txxxx
符号
I
GT(1)
V
GT
V
GD
I
H(2)
I
L
dv / dt的
(2)
V
D
= V
DRM
, R
L
= 3.3KΩ
T
j
= 125°C
I
T
= 200毫安
I
-
III
I
G
= 1.2 I
GT
II
V
D
= 67% V
DRM
，门打开，T
j
= 125°C
（的dV / dt ） c = 0.1 V / μs的
（ di / dt的）C
(2)
（的dV / dt ） c = 10 V / μs的
无缓冲
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
分钟。
马克斯。
15
分钟。
20
2.7
1.2
-
测试条件
象限
TW
I
-
II
-
III
V
D
= 12 V ，R
L
= 30Ω
I
-
II
-
III
I
-
II
-
III
马克斯。
分钟。
马克斯。
10
10
15
25
30
40
3.5
2.4
-
1.3
0.2
40
50
60
400
-
-
3.5
55
70
mA
80
1000
-
-
5.3
A / MS
V / μs的
V
V
mA
马克斯。
05
SW
10
CW
35
BW
50
mA
单位
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
STANDARD （ 4象限）
6Txxxx
符号
测试条件
象限
I
-
II
-
III
V
D
= 12 V ，R
L
= 30Ω
IV
所有
V
D
= V
DRM
, R
L
= 3.3KΩ ，T
j
= 125°C
I
T
= 200毫安
I
G
= 1.2 I
GT
V
D
= 67% V
DRM
，门打开，T
j
= 125°C
（ di / dt的）C = 2.7 A / MS ，T
j
= 125°C
I
-
III
-
IV
II
的dV / D
t(2)
（ dv / dt的）C
(2)
分钟。
分钟。
所有
马克斯。
马克斯。
25
40
80
200
5
C
马克斯。
25
50
1.3
0.2
50
50
100
400
10
V / μs的
V / μs的
B
50
100
mA
V
V
mA
mA
单位
I
GT(1)
V
GT
V
GD
I
H(2)
I
L
静态特性
符号
V
TM(2)
V
t0
(2)
R
d
(2)
I
DRM
I
RRM
I
TM
= 8.5 A，T
P
= 380 µs
阈值电压
动态电阻
V
DRM
=
V
RRM
T
j
= 125°C
测试条件
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
马克斯。
1
mA
马克斯。
马克斯。
马克斯。
价值
1.55
0.85
60
5
单位
V
V
mΩ
µA
记
1:
最小升
GT
是guaranted在
5%
升
GT
马克斯。
记
2:
为A2的两极参考A1 。
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第2 6
NELLSEMI [ NELL SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
