半导体
RoHS指令
6T系列
RoHS指令
图5浪涌峰值通态电流对数
的周期。
通态电流图6非重复性浪涌峰值
对于正弦脉冲宽度TP <为10ms 。
和升的相应值
2
t.
I
TSM
(A),
余吨
(A
s)
1000
T
j
initial=25°C
2
2
I
TSM
(A)
70
60
t=20ms
50
40
30
20
10
0
1
10
重复
T
c
=105°C
不重复
T
j
initial=25°C
一个周期
di / dt的限制：
50A/µs
I
TSM
100
I
2
t
周期数
10
t
p
（女士）
0.01
0.10
1.00
10.00
100
1000
门极触发电流图7相对变化，持股
当前和闭锁电流对结
温度（典型值）。
减少爆击率的图8相对变化
主电流对（的dV / dt ）C （典型值） 。
无缓冲器&逻辑电平类型
（ di / dt的） C [ （的dV / dt ） C] /
特定网络版
（ di / dt的）C
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
I
GT
,I
H
,I
L
[T
j
] /
I
GT
,I
H
,I
L
[T
j
=25
°C
]
2.5
2.0
I
GT
1.5
IH
＆放大器;
I
L
TW
BW / CW
SW
1.0
0.5
T
j
(°C)
0.0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
（的dV / dt ）C （V / μs）内
0.1
1.0
10.0
100.0
减少爆击率的图9相对变化
主电流对（的dV / dt ）的C （典型值）
（标准型） 。
临界速度下降图10相对变化
主电流与结温。
（ di / dt的） C [ （的dV / dt ） C] /
特定网络版
（ di / dt的）C
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
B
（ di / dt的）C [T
j
] / （ di / dt的）C [T
j
指定]
6
5
C
4
3
2
1
（的dV / dt ）C （V / μs）内
0
0
25
50
T
j
(°C)
75
100
125
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