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85FDR08B 参数 Datasheet PDF下载

85FDR08B图片预览
型号: 85FDR08B
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内容描述: 快恢复二极管(梭哈版) , 85A [Fast Recovery Diodes (Stud Version), 85A]
分类和应用: 二极管快恢复二极管
文件页数/大小: 6 页 / 717 K
品牌: NELLSEMI [ NELL SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
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半导体
RoHS指令
85FD(R)Series
RoHS指令
内尔高功率产品
正向导通
参数
符号
I
F( AV )
I
F( RMS )
I
FRM
测试条件
180度通电,半正弦波
85FD(R)
85
85
133
单位
A
ºC
最大平均正向电流
在最大外壳温度
最大RMS正向电流
最大峰值重复正向电流
最大峰值,单周期
非reptitive浪涌电流
A
A
正弦半波, 30 °
传导
t
= 10ms的
t
= 8.3ms的
t
= 10ms的
t
=
8.3ms
t
= 10ms的
t
= 8.3ms的
正弦半波, 100 %V
RRM
重新应用,初始的T
J
=T
J
最大
正弦半波,无电压
重新应用,初始的T
J
=T
J
最大
100% V
RRM
重新应用,
初始的T
J
=T
J
最大
无电压重新应用,
初始的T
J
=T
J
最大
470
1100
1151
1308
1369
6050
5498
8554
7778
85543
1.128
2.11
I
FSM
A
最大l²t的融合
I
2
t
t
= 10ms的
t
= 8.3ms的
A
2
s
最大l²√t的融合
(1)
阈值电压的最大值
正向斜率电阻最大值
最大正向电压降
注意:
(1)
l
2
t表示t时刻
x
=1
2
t
√t
x
I
2
√t
V
F( TO)
r
F
吨= 0.1毫秒至10毫秒,没有再通电的
A
2
s
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C ;升
FM
= 265A
V
V
V
FM
1.75
开关
参数
符号
测试条件
T
J
= 25 ° C,I
F
= 1A ,我
R
= 1.0A,
I
RR
= 250毫安( RG # 1 CKT )
典型的反向恢复时间
t
rr
T
J
= 25 ° C,I
F
= 1A到V
R
= 30V ,
-dl
F
/ DT = 100 A / μs的
T
J
= 25 ° C, -dl
F
/ DT = 25 A / μs的,
l
FM
=
π
×额定升
F( AV )
T
J
= 25 ° C,I
F
= 1A到V
R
= 30V,
-dl
F
/ DT = 100 A / μs的
T
J
= 25 ° C, -dl
F
/ DT = 25 A / μs的,
l
FM
=
π
×额定升
F( AV )
85FD(R)
02 〜06
200
08 〜12
500
单位
50
120
ns
200
70
500
340
典型的反向恢复电荷
Q
rr
nC
240
1300
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