半导体
RoHS指令
8T系列
RoHS指令
图4通态特性（最大值） 。
ITM
(A)
100
T
j
马克斯。
VTO
= 0.85
V
Rd
= 50
mΩ
T
j
=T
j
最大
图5浪涌峰值通态电流对数
的周期。
ITSM
(A)
90
80
70
60
50
40
不重复
T
j
initial=25°C
重复
T
c
=100°C
t=20ms
一个周期
10
T
j
=25
°
C
30
20
VTM （ V）
10
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
1
周期数
1
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
10
100
1000
通态电流图6非重复性浪涌峰值
对于正弦脉冲宽度TP <为10ms 。
和升的相应值
2
t.
LTSM （A ） ，L
2
T（A
2
s)
1000
门极触发电流图7相对变化，持股
当前和闭锁电流对结
温度（典型值）。
LGT ， LH ，当地雇员[T
j
] / LGT ， LH ，当地雇员[T
j
=25°C]
2.5
T
j
initial=25°C
2.0
di / dt的限制：
50A/µs
IGT
ITSM
1.5
100
1.0
I
2
t
IH
＆放大器;
IL
0.5
tp
（女士）
T
j
(°C)
10
0.01
0.10
1.00
10.00
0.0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
降低关键利率的8-1相对变化
主电流对（的dV / dt ）C （典型值） 。
无缓冲器&逻辑电平类型
临界速度Fig.8-2相对变化
下降主要与当前（的dV / dt ）的c
（典型值）。标准类型
（ di / dt的） C [ （的dV / dt ） C] /
特定网络版
（ di / dt的）C
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
2.0
TW
（ di / dt的） C [ （的dV / dt ） C] /
特定网络版
（ di / dt的）C
1.8
1.6
1.4
CW / BW
C
B
1.2
SW
1.0
0.8
（的dV / dt ）C （V / μs）内
0.6
10.0
100.0
0.4
0.1
1.0
（的dV / dt ）C （V / μs）内
10.0
100.0
0.1
1.0
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