晶体振荡器
OD- X8HXXXXX系列
参数
SYMB
绝对最大额定值
VCC
输入歇
电压下降
Ts
存储脾气。
Vc
控制电压
电动
F
频率
频率稳定度
∆F/F
老化
Allan方差
SSB相位噪声
条件
民
-0.5
-40
-1
4.8
与温度。
与供应
每天
每年
.1秒至10秒
1Hz
10赫兹
100赫兹
1千赫
10千赫
30分钟后
最坏的方向
4.75
3.15
11.4
10.000
±10
1
5E-10
1E-7
1E-11
-90
-120
-150
-153
-160
典型值
最大
13.0
85
9
160
2
单位
V
°C
V
兆赫
PPB
PPB / V
数据表0635G
记
1*
见下图
30天之后，
5E - 8 available2 *
所有参数为10兆赫
dBc的/赫兹
3*
追溯
G-灵敏度
输入电压
VCC
稳定状态下，25°C
W
标准工作
稳定状态下， -30℃
温度，欧普
初创@ -30℃
3.2
温度。 85°C的广告20 ％
次谐波
-45
dBc的
在更高的频率下
光谱纯度
伪
-80
谐波/正弦
-35
-30
规格为10Mohm // 15pF的（ HCMOS / TTL ） ， 50欧姆（正弦波）
负载
以精度为0.1ppm
3
5
分钟
3分钟。在12V
预热时间
τ
3.3V HCMOS / TTL兼容或正弦波（ + 7 ± 3 ） dBm的
-25dBm谐波的正弦波
输出波形
Vc
0
4.0
V
控制电压
从标称˚F
±0.5
±1
PPM
拉范围
单调，断定
0.4
PPM / V
偏坡
Vc0
@ 25°C ， FNOM 。
1.0
2.0
3.0
V
Setability
环境和机械
-30 ° C至70 ° C标准，其他选项 - 见下图
工作温度。范围
每MIL -STD- 202 ， 30G ， 11毫秒
机械冲击
每MIL -STD- 202 ， 5G Hz至2000 Hz
振动
260 ℃下进行10秒的最大只会导致
焊接条件
电气连接
针＃ 1 -VC ;针＃ 2 - Vref的;针＃ 3 - Vcc的;针脚＃4输出;针＃ 5 GND ;
引脚输出
耗电量
注意事项：
1 *较高的频率可以通过使用较高频率的晶体或由低噪声模拟谐波乘法来实现。两
方法都有优点和缺点。如果在本底噪声尽可能低的相位噪声是最重要的 - 高频晶体将被使用。如果
相位噪声接近载波和老化更重要 - 乘法将被使用。请咨询厂家为您的特定需求。
2 *老化速率通常正比于工作频率的，除非较高频率由乘法来实现。牢记这一点
同时指定老化。
3 *相位噪声恶化与频率会更高。如果模拟乘法来实现更高的频率的相位噪声
大致如下附加20LogN ，其中N是在整个频率偏移范围内的乘法系数的公式。如果更高的频率是
通过使用较高频率的晶体相位噪声接近载波实现的劣化是由于晶体的较低的Q值，通常是差，
相比倍增的解决方案。关于本底噪声，但是它仍然或多或少是相同的。这种设计通常开始利用乘法
技术中的25兆赫至35兆赫范围内。
P
5.0
3.3
12.0
0.8
1.5
2.5
-50
±10
±1.0
5.25
3.45
12.6
1.2
PPB
PPB / G
V
见下图指定
357伯洛伊特街， P.O. 457盒，伯灵顿， WI 53105-0457 USA电话262 / 763-3591传真262 / 763-2881
电子邮件：
nelsales@nelfc.com
www.nelfc.com
NEL [ NEL FREQUENCY CONTROLS,INC ]
