晶体振荡器
OD- X8JXXXXX系列
参数
SYMB
绝对最大额定值
VCC
输入歇
电压下降
Ts
存储脾气。
Vc
控制电压
电动
F
频率
频率稳定度
∆F/F
老化
Allan方差
SSB相位噪声
条件
民
-0.5
-40
-1
8
与温度。
与供应
每天
每年
.1秒至10秒
1Hz
10赫兹
100赫兹
1千赫
10千赫
30分钟后
最坏的方向
4.75
3.15
10.000
±50
1
5E-10
1E-7
1E-11
-90
-120
-150
-153
-160
典型值
最大
5.5
85
7
160
2
单位
V
°C
V
兆赫
PPB
PPB / V
数据表0635H
记
1*
见下图
30天之后，
5E - 8 available2 *
所有参数为10兆赫
dBc的/赫兹
3*
追溯
G-灵敏度
输入电压
耗电量
VCC
P
稳定状态下，25°C
W
标准工作
稳定状态下， -30℃
温度，欧普
初创@ -30℃
0.7
温度。 85°C的广告20 ％
次谐波
-45
dBc的
在更高的频率下
光谱纯度
伪
-80
谐波/正弦
-35
-30
规格为10Mohm // 15pF的（ HCMOS / TTL ） ， 50欧姆（正弦波）
负载
以精度为0.1ppm
30
45
s
预热时间
τ
3.3V HCMOS / TTL兼容或正弦波（ + 7 ± 3 ） dBm的
输出波形
Vc
0
VREF
V
控制电压
从标称˚F
±0.5
±1
PPM
拉范围
单调，断定
0.4
PPM / V
偏坡
Vc0
@ 25°C ， FNOM 。
VREF / 2-1 VREF / 2 VREF / 2 + 1
V
Setability
环境和机械
-30 ° C至70 ° C标准，其他选项 - 见下图
工作温度。范围
每MIL -STD- 202 ， 30G ， 11毫秒
机械冲击
每MIL -STD- 202 ， 5G Hz至2000 Hz
振动
260 ℃下进行10秒的最大只会导致
焊接条件
电气连接
针＃ 1 -VC ;针＃ 2 - Vref的;针＃ 3 - Vcc的;针脚＃4输出;针＃ 5 GND ;
引脚输出
注意事项：
1 *较高的频率可以通过使用较高频率的晶体或由低噪声模拟谐波来实现
乘法。这两种方法都有优点和缺点。如果在本底噪声尽可能低的相位噪声是最重要的
- 高频晶体将被使用。如果相位噪声接近载波和老化更为重要 - 乘法会
使用。请咨询厂家为您的特定需求。
2 *老化速率通常正比于工作频率的，除非较高频率由乘法来实现。
牢记这一点，同时指定老化。
3 *相位噪声恶化与频率会更高。如果模拟乘法来实现更高的频率
相位噪声大致如下附加20LogN ，的式，其中N是在整个频率倍增因子
偏移范围。如果更高的频率，通过使用较高频率的晶体相位噪声接近载波实现降低由于
晶体和的较低的Q值通常为差，相比倍增溶液。关于本底噪声，但是它仍然是更多或
大致相同。这种设计通常开始利用乘法技术在25兆赫至35兆赫。
357伯洛伊特街， P.O. 457盒，伯灵顿， WI 53105-0457 USA电话262 / 763-3591传真262 / 763-2881
电子邮件：
nelsales@nelfc.com
www.nelfc.com
5.0
3.3
0.125
0.35
0.5
-50
±10
±1.0
5.25
3.45
0.15
PPB
PPB / G
V
见下图指定
NEL [ NEL FREQUENCY CONTROLS,INC ]
