IGBT
■回路図 CIRCUIT
G2
E2
C2E1
E2
C1
200 A 600 V
■外�½�寸法図 OUTLINE DRAWING
PDMB200A6
PDMB200A6C
PDMB200A6C
（単�½� Dimension：mm）
PDMB200A6C
E1
G1
■最大定格 Maximum Ratings（T
C
＝25℃）
項 目
Item
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-Emitter Voltage
ゲート・エミッタ間電圧
Gate-Emitter Voltage
コレクタ電流
Collector Current
DC
1ms
記号
Symbol
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
stg
V
iso
PDMB200A6
2（20.4）
2（20.4）
定 格 値
Rated Value
600
±20
200
400
780
−40∼＋150
−40∼＋125
2500
PDMB200A6C
3（30.6）
単�½�
Unit
V
V
A
W
℃
℃
V
（RMS）
N m
・
（kgf cm）
・
コレクタ損失
Collector Power Dissipation
接合温度
Junction Temperature Range
保存温度
Storage Temperature Range
絶縁耐圧
（端子−ベース間，AC１分間）
Isolation Voltage Terminal to Base, AC１min.）
（
ベース取付部
Module Base to Heatsink
締付トルク
Mounting Torque 端子部
Busbar to Terminal
F
tor
■電気的特性 Electrical Characteristics（T
C
＝25℃）
項 目
Characteristic
コレクタ遮断電流
Collector-Emitter Cut-Off Current
ゲート漏れ電流
Gate-Emitter Leakage Current
コレクタ・エミッタ間�½和電圧
Collector-Emitter Saturation Voltage
ゲートしきい値電圧
Gate-Emitter Threshold Voltage
入力容量
Input Capacitance
上昇時間
Rise Time
ターン・オン時間
スイッチング時間 Turn-On Time
Switching Time
下降時間
Fall Time
ターン・オフ時間
Turn-Off Time
記号
Symbol
I
CES
I
GES
V
CE sat）
（
V
GE th）
（
C
ies
t
r
t
on
t
f
t
off
V
CC
＝300V
R
L
＝3Ω
R
G
＝3.6Ω
V
GE
＝±15V
条 件
Test Conditions
V
CE
＝600V, V
GE
＝0V
V
GE
＝±20V, V
CE
＝0V
I
C
＝200A, V
GE
＝15V
V
CE
＝5V, I
C
＝200mA
V
CE
＝10V, V
GE
＝0V, f＝1MHz
最小
Min.
─
─
─
4.0
─
─
─
─
─
標準
Typ.
─
─
2.1
─
20000
0.15
0.25
0.2
0.45
最大
Max.
2.0
500
2.6
8.0
─
0.3
0.4
μ
s
0.35
0.7
単�½�
Unit
mA
nA
V
V
pF
─ 395 ─
NIEC [ NIHON INTER ELECTRONICS CORPORATION ]
