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    PDT3012 参数 Datasheet PDF下载

    PDT3012图片预览
    型号： PDT3012
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶闸管模块30A / 1200〜 1600V [THYRISTOR MODULE 30A /1200 to 1600V]
    分类和应用： 栅极触发装置可控硅整流器局域网
    文件页数/大小： 5 页 / 273 K
    品牌： NIEC [ NIHON INTER ELECTRONICS CORPORATION ]
     浏览型号PDT3012的Datasheet PDF文件第1页浏览型号PDT3012的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PDT3012的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PDT3012的Datasheet PDF文件第5页  
    Electrical
    •
    Thermal Characteristics
    Characteristics
    Peak Off-State Current
    Peak Reverse Current
    Peak Forward Voltage
    Gate Current to Trigger
    Symbol
    I
    DM
    I
    RM
    V
    TM
    I
    GT
    Test Conditions
    V
    DM
    = V
    DRM,
    Tj= 125°C
    V
    RM
    = V
    RRM,
    Tj= 125°C
    I
    TM
    = 90A, Tj=25°C
    Tj=-40°C
    V
    D
    =6V,I
    T
    =1A
    Tj=25°C
    Tj=125°C
    Tj=-40°C
    V
    D
    =6V,I
    T
    =1A
    Tj=25°C
    Tj=125°C
    V
    D
    =2/3V
    DRM
    Tj=125°C
    V
    D
    =2/3V
    DRM
    Tj=125°C
    I
    TM
    =I
    O
    ,V
    D
    =2/3V
    DRM
    dv/dt=20V/µs, V
    R
    =100V
    -di/dt=20A/µs, Tj=125°C
    V
    D
    =2/3V
    DRM
    Tj=125°C
    I
    G
    =200mA, di
    G
    /dt=0.2A/µs
    Maximum Value.
    Min. Typ. Max.
    10
    10
    1.50
    200
    100
    50
    4
    2.5
    2
    0.25
    500
    100
    6
    2
    4
    100
    50
    0.7
    0.2
    Unit
    mA
    mA
    V
    mA
    Gate Voltage to Trigger
    Gate Non-Trigger Voltage
    Critical Rate of Rise of Off-State
    Voltage
    Turn-Off Time
    Turn-On Time
    Delay Time
    Rise Time
    Latching Current
    Holding Current
    Thermal Resistance
    Value Per 1Arm
    V
    GT
    V
    GD
    dv/dt
    tq
    tgt
    td
    tr
    I
    L
    I
    H
    Rth(j-c)
    V
    V
    V/µs
    µs
    µs
    µs
    µs
    mA
    Tj=25°C
    Tj=25°C
    Junction to Case
    Base Plate to Heat Sink
    Rth(c-f)
    with Thermal Compound
    °C/W

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