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    PDM505HC 参数 Datasheet PDF下载

    PDM505HC图片预览
    型号： PDM505HC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： MOSFET模块双50A / 500V [MOSFET MODULE Dual 50A/500V]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 3 页 / 115 K
    品牌： NIEC [ NIHON INTER ELECTRONICS CORPORATION ]
     浏览型号PDM505HC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PDM505HC的Datasheet PDF文件第3页  
    MOSFET
    模块
    特点
    *双MOS场效应管级联电路
    双路50A / 500V
    外形绘图
    PDM505HC
    外形尺寸（mm ）
    *已阻止通过MOSFET的体二极管
    简称SBD ，和超快速恢复二极管
    并联
    * 300KHz的高速开关可能
    电路
    典型应用
    *电源为通信和
    感应加热
    最大完全评级
    评级
    漏源电压（V
    GS
    =0V)
    栅 - 源电压
    连续漏电流
    Duty=50%
    特区
    大约重量： 220克
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    I
    DM
    P
    D
    T
    jw
    T
    英镑
    V
    ISO
    F
    器
    PDM505HC
    500
    +/ - 20
    50 （TC = 25 ° C）
    35 （TC = 25℃ ）
    100锝= 25 ° C）
    350锝= 25 ° C）
    -40到+150
    -40到+125
    2000
    3.0
    2.0
    单位
    V
    V
    A
    A
    W
    °C
    °C
    V
    N·m的
    漏电流脉冲
    总功耗
    工作结温范围
    存储温度范围
    隔离电压端与交流基地， 1分钟）
    模组基地散热器
    安装力矩
    母线主接线端子
    电气特性
    （ @ TC = 25 ° C除非另有说明）
    特征
    符号
    测试条件
    零栅极电压漏极电流
    门源阈值电压
    栅极 - 源极漏电流
    静态漏源导通电阻
    漏源电压
    正向跨导
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    I
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    r
    DS （ ON）
    V
    DS （ ON）
    g
    fs
    C
    IES
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    DS
    =V
    DSS
    ,V
    GS
    =0V
    T
    j
    = 125°C ，V
    DS
    =V
    DSS
    ,V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =V
    GS
    , I
    D
    =3mA
    V
    GS
    =+/- 20V,V
    DS
    =0V
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    =25A
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    =25A
    V
    DS
    = 15V ，我
    D
    =25A
    V
    DS
    =25V,V
    GS
    =0V,f=1MHz
    V
    DD
    = 1/2V
    DSS
    I
    D
    =25A
    V
    GS
    = -5V, +10V
    R
    G
    = 5欧姆
    分钟。
    -
    -
    2.0
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    3.1
    -
    110
    3.2
    30
    8.4
    1.1
    0.24
    92
    110
    250
    68
    马克斯。
    1.0
    4.0
    4.0
    0.3
    120
    3.4
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    单位
    mA
    V
    µA
    M-欧姆
    V
    S
    nF
    nF
    nF
    ns
    续流二极管额定值&特性
    (Tc=25°C)
    特征
    符号
    测试条件
    连续源电流
    脉冲源电流
    二极管的正向电压
    反向恢复时间
    反向恢复
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    r
    特区
    -
    I
    S
    =50A
    I
    S
    = 50A ， -dis / DT = 100A /
    µs
    分钟。
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    80
    0.18
    马克斯。
    35
    100
    1.5
    -
    -
    单位
    A
    A
    V
    ns
    µC
    单位
    ° C / W
    热特性
    特征
    符号
    热阻，结到外壳
    热电阻，案件散热器
    R
    日（J -C ）
    R
    TH（ C-F ）
    测试条件
    MOS FET
    二极管
    安装表面平整，光滑，并涂油
    分钟。
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    马克斯。
    0.36
    2.0
    0.1

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