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PHMB400B12 参数 Datasheet PDF下载

PHMB400B12图片预览
型号: PHMB400B12
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内容描述: IGBT模块单400A 1200V [IGBT MODULE Single 400A 1200V]
分类和应用: 双极性晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 117 K
品牌: NIEC [ NIHON INTER ELECTRONICS CORPORATION ]
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PHMB400B12
Fig.1-输出特性
(典型值)
800
Fig.2-集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压
(典型值)
T
C
=25℃
16
T
C
=25℃
I
C
=200A
800A
V
GE
=20V
15V
12V
10V
集电极到发射极电压V
CE
(V)
14
12
10
8
6
4
2
0
400A
集电极电流I
C
(A)
600
9V
400
8V
200
7V
0
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
集电极到发射极电压V
CE
(V)
门到发射极电压V
GE
(V)
Fig.3-集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压
(典型值)
16
Fig.4-栅极电荷主场迎战集电极到发射极电压
(典型值)
800
700
600
500
400
16
T
C
=125℃
I
C
=200A
800A
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
14
R
L
=1.5Ω
T
C
=25℃
14
门到发射极电压V
GE
(V)
400A
12
10
8
6
4
2
0
12
10
8
V
CE
=600V
300
6
400V
200
4
200V
100
0
0
500
1000
1500
2000
2500
2
0
3000
0
4
8
12
16
20
门到发射极电压V
GE
(V)
总栅极电荷Qg
( NC )
Fig.5-电容与集电极到发射极电压
(典型值)
100000
50000
Fig.6-集电极电流与开关时间
(典型值)
1.2
资本投资者入境计划
V
GE
=0V
f=1MH
Z
T
C
=25℃
1
开关时间t
(μs)
20000
t
关闭
0.8
V
CC
=600V
R
G
= 1Ω
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
电容C
(PF )
10000
卓越中心
5000
t
f
0.6
2000
1000
500
0.4
CRES
0.2
200
t
ON
t
r
0
100
200
300
400
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
0
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)