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PVD110-6 参数 Datasheet PDF下载

PVD110-6图片预览
型号: PVD110-6
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内容描述: PIM模块11KW 200V [PIM MODULE 11KW 200V]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 68 K
品牌: NIEC [ NIHON INTER ELECTRONICS CORPORATION ]
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暂定
PIM
模块
11
KW 200V
PVD110-
PVD110-6
期货:集成的3相二极管桥,可控硅开关,变频器,制动和缓冲
对于11千瓦200V逆变器
最大完全评级
(Tc=25°C)
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
3相
平均整流输出电流-put
整流器阳离子
正向电流浪涌
二极管
我平方吨
正向电流的秋天的爆击率
重复峰值断态电压
非重复峰值断态电压
平均整流输出,把电流
正向电流浪涌
我平方吨
开关
爆击率上升导通电流的
晶闸管
峰值功率门
平均功耗门
栅极峰值电流
峰值栅极电压
栅极峰值反向电压
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
DC
集电极电流
逆变器
1
ms
IGBT
DC
正向电流
1
ms
集电极耗散功率
集电极 - 发射极电压
门极电压
刹车
DC
IGBT
集电极电流
1ms
集电极耗散功率
反向重复峰值电压
缓冲器
正向电流,直流
二极管
正向电流浪涌
工作结温范围
存储温度范围
隔离电压(终端到基地)
绝缘电阻(终端基地, @ DC = 500V )
安装扭矩(模组基地散热片)
大约重量:400g
符号
V
RRM
V
RSM
I
O( AV )
I
FSM
I
2
t
-di / dt的
V
DRM
V
RSM
I
O( AV )
I
TSM
I
2
t
的di / dt
P
GM
P
GM( AV )
I
GM
V
GM
V
RGM
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
I
F
I
FM
P
C
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
P
C
V
RRM
I
F
I
FSM
TJW
TSTG
VISO
RISO
Ftor
额定值
800
900
100
900
4050
160(@ :I
FM
= 60A ,V
R
=500V)
800
900
100
1000
5000
100
5
1
2
10
5
600
+/- 20V
100
200
100
200
390
600
+/- 20V
50
100
215
600
15
150
-40〜 + 150 ° C(注: 125
°C
>不可偏颇。 )
-40至+ 125°C
2500( @AC , 1分钟) , 3000 ( @AC , 1秒)
500
(M4), 1.4
单位
V
A
A
2
s
A/
µs
V
A
A
2
s
A / μs的
W
A
V
V
A
W
V
A
W
V
A
°C
V
M.ohm
N·m的
电气特性
( TC = 25° C除非另有说明)
特征
符号
测试条件
3相
反向峰值电流* 1
整流二极管峰值反向电压* 1
峰值断态电流
峰值反向电流
峰值通态电压
栅极电流触发
开关型晶闸管
栅极电压触发
栅极电压不触发
断态电压临界上升率
V
GT
V
GD
dv / dt的
I
R
V
F
I
DM
I
RM
V
TM
I
GT
TJ = 150 ° C,V
RM
=V
RRM
I
F
=100A
TJ = 125°C ,V
DM
=V
DRM
TJ = 125°C ,V
RM
=V
RRM
I
T
=100A
Tj=-40°C
V
D
=6V
Tj=25°C
I
T
=1A
Tj=125°C
Tj=-40°C
V
D
=6V
Tj=25°C
I
T
=1A
Tj=125°C
TJ = 125°C ,V
D
=2/3V
DRM
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
500
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
10
1.50
50
50
1.50
200
100
50
40
25
20
-
-
单位
mA
µA
mA
V
mA
V
V
V / μs的