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     双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30 V， 167 A，1.0 mΩ
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    GRM1552C1E8R4DA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    GMA085C80J474ME12#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    FCD260N65S3

     功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® III，Easy Drive，650 V，12 A，260 mΩ，DPAK
    暂无信息
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    GRM0115C1E1R5CE11#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    MMBZ33VALY

     MMBZ33VALY是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管，适合电子元器件的ESD保护。
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