SM5904BF
DRAM存取时间(双DRAM )
∗
使用外部DRAM 。
t
RASL
5 t
CY
NRAS
t
RCD
2t
CY
NCAS2
t
CASL
3 t
CY
t
皮疹
3 t
CY
t
现金
5t
CY
A0到A9
,,,,,,,
,,,,,,,
,,,,,,,
,,,,,,,
t
拉德
1t
CY
t
RADH
1t
CY
t
CADS
1t
CY
t
CADH
5t
CY
t
CWDS
3t
CY
t
CWDH
3t
CY
,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,
D0到D3
(写)
t
CRDS
D0到D3
(READ )
t
CRDH
,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,
t
WCS
3t
CY
NWE
(写)
t
WEL
6t
CY
在读时序西北欧端输出固定为高电平。
DIT接口( DIT针)
参数
0数据高电平
0数据低电平
1数据高电平
1数据低电平
符号
条件
民
15 pF负载
15 pF负载
15 pF负载
15 pF负载
等级
典型值
6
6
3
3
最大
单位
t
DI0H
t
DI0L
t
DI1H
t
DI1L
t
CY
(注)
t
CY
t
CY
t
CY
注。
t
CY
是系统时钟(CLK)输入( 384fs )周期时间。
t
CY
= 59 ns的时候FS = 44.1千赫。
DIT
t
DI0H
6
t
CY
t
DI0L
6
t
CY
t
DI1H
t
DI1L
3
t
CY
3
t
CY
0.5V
DD
日本制精密电路- 9